[发明专利]采用各向异性热电材料的激光电源传感器

权利要求书

1.一种激光辐射传感器，包括：

铜衬底；

布置在衬底上方的定向的多晶缓冲层，缓冲层具有相对于衬底表面的法线成介于10度和45度之间的第一角度的晶向；

布置在缓冲层上方的由选自热电材料组的热电材料制成的定向的多晶传感器元件，所述热电材料组由镝钡铜酸盐、锶钴酸钠和钴酸锶构成，传感器元件具有相对于衬底表面的法线成介于10度和45度之间的第二角度的结晶c轴定向；

布置在传感器元件上的两个或更多保护层；

布置在最上面的保护层上的辐射-吸收层；以及

与传感器元件电接触的隔开的第一和第二细长电极。

2.根据权利要求1所述的激光辐射传感器，其中传感器元件是在第一和第二电极之间延伸的定向多晶传感器材料的连续层。

3.根据权利要求1所述的激光辐射传感器，其中传感器元件包括隔开的定向多晶传感器材料的多个带，多个带彼此平行而且在第一和第二电极之间延伸。

4.根据权利要求3所述的激光辐射传感器，其中传感器元件的带被对齐成平行于定向多晶传感器材料的结晶c轴。

5.根据权利要求1所述的激光辐射传感器，其中存在布置在传感器元件上的第一保护层、布置在第一保护层上的第二保护层、布置在第二保护层上的第三保护层。

6.根据权利要求5所述的激光辐射传感器，其中第一保护层是氧化镁和二氧化硅之一的层，第二保护层是聚硅氮烷层，第三保护层是二氧化硅层。

7.根据权利要求6所述的激光辐射传感器，其中辐射-吸收层是选自辐射-吸收材料组的辐射-吸收材料的层，辐射-吸收材料组由碳化硼、氮化钛、氧化铬、黑色金属和类金刚石碳(DLC)组成。

8.根据权利要求1所述的激光辐射传感器，其中电极包括选自金属组的金属，所述金属组由金、铂、银和钯构成。

9.根据权利要求1所述的激光辐射传感器，其中缓冲层是选自材料组的材料的层，材料组由氧化镁、钇稳定的氧化锆、和氧化铈组成。

10.根据权利要求1所述的激光辐射传感器，其中第一和第二角度大约相同。

11.根据权利要求1所述的激光辐射传感器，其中存在由布置在传感器元件上的氧化物材料形成的第一保护层，而且其中存在布置在第一保护层上的第二保护层，其中第二保护层以液体或胶体形式涂覆以填充氧化物层中的孔。

12.一种激光辐射传感器，包括：

高热导材料的衬底；

布置在衬底上方的定向的多晶缓冲层，缓冲层具有相对于衬底表面的法线成介于10度和45度之间的第一角度的晶向；

布置在缓冲层上方的由选自热电材料组的热电材料制成的定向的多晶传感器元件，所述热电材料组由镝钡铜酸盐、锶钴酸钠和钴酸锶构成，传感器元件具有相对于衬底表面的法线成介于10度和45度之间的第二角度的结晶c轴定向；

布置在传感器元件上的两个或更多保护层；

布置在最上面的保护层上的辐射-吸收层；

与传感器元件电接触的隔开的第一和第二细长电极；以及

其中传感器元件包括隔开的定向多晶传感器材料的多个带，所述多个带彼此平行并且在第一和第二电极之间延伸，其中每个带与第一和第二电极电接触。

13.根据权利要求12所述的激光辐射传感器，其中衬底是铜衬底。

14.根据权利要求12所述的激光辐射传感器，其中缓冲层的厚度介于0.5微米和4.0微米之间，而且缓冲层是选自材料组的材料的层，材料组由氧化镁、钇稳定的氧化锆和氧化铈组成。