[发明专利]固体图像传感器、固体图像传感器制造方法和电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及固体图像传感器、固体图像传感器制造方法和电子设备，具体涉及能够抑制相位检测像素处的由于遮光膜而导致的不必要反射的固体摄像器件、固体摄像器件制造方法和电子设备。

相关申请案

本申请要求2013年7月25日提交的日本优先权专利申请JP2013-154458的优先权，且在法律准许的程度内将该日本优先权专利申请的全部内容以引用的方式并入本文中。

背景技术

已经开发出了这样的电子设备：其中，相位检测像素被设置在以二维矩阵的方式布置着的多个像素的一部分中(例如，文献PTL1)。在相位检测像素中，光接收区域的一部分被遮光膜遮挡，且透镜焦点偏差能够根据从相位检测像素输出的信号而被检测出来。

引用列表

专利文献

PTL1：日本专利申请特开JP2010-160313A

发明内容

要解决的技术问题

然而，当相位检测像素的遮光膜由具有高反射率的金属构成时，照射在遮光膜上的光发生散射，并且该光会与相邻像素混色且会散射到透镜镜筒中。结果，可能出现眩光(flare)或红球重影(red-ballghost)。

而且，当散射光向相位检测像素的光电二极管上入射时，本来应当被遮挡住的光经历了光电转换，且因此相位差会被减小。当相位差被减小时，利用相位差检测而实现的AF(自动聚焦)控制精度就降低，且电子设备的聚焦速度可能受到影响。

本发明克服了前述的技术问题，且在相位检测像素中抑制了由于遮光膜而造成的不必要反射。

解决技术问题所采取的技术方案

根据本发明的第一方面，一种固体摄像器件包括：相位检测光电二极管，其具有光接收表面；遮光膜，其覆盖所述相位检测光电二极管的所述光接收表面的一部分；以及吸光膜，其被设置成位于所述相位检测光电二极管上方，其中所述吸光膜被设置成位于所述遮光膜上方。

根据本发明的第二方面，一种电子设备包括固体摄像器件，所述固体摄像器件包括：第一相位检测光电二极管，所述第一相位检测光电二极管具有光接收表面；第一遮光膜，其覆盖所述光接收表面的一部分；以及第一吸光膜，其被设置成位于所述第一相位检测光电二极管上方，其中所述第一吸光膜被设置成位于所述第一遮光膜上方。

根据本发明的第三方面，一种固体摄像器件制造方法包括：形成相位检测光电二极管；形成遮光膜，所述遮光膜覆盖所述相位检测光电二极管的光接收表面的一部分；以及在所述相位检测光电二极管上方形成吸光膜，其中所述吸光膜被设置成位于所述遮光膜上方。

所述固体摄像器件和所述电子设备可以是单独的装置，或者可以是被并入另一个装置中的模块。

本发明的有益效果

根据本发明的第一方面到第三方面，能够抑制相位检测像素中的由于遮光膜而造成的不必要反射。

附图说明

图1是图示了根据本发明的固体图像传感器的示意性构造的图。

图2是只图示了像素阵列部的图。

图3是摄像像素和相位检测像素的截面构造图。

图4是一般的摄像像素和相位检测像素的截面构造图。

图5A和图5B是用于说明图1中的相位检测像素的像素结构与一般的像素结构之间的差别的图。

图6A到图6F是用于说明摄像像素和相位检测像素的制造方法的图。

图7A到图7C是图示了相位检测像素的第二实施例到第四实施例的图。

图8A和图8B是图示了相位检测像素的第五实施例和第六实施例的图。

图9A和图9B是用于说明在相位检测像素的第六实施例中的需要注意的关注点的图。

图10是用于说明在相位检测像素的第六实施例中的需要注意的关注点的图。

图11是用于说明在相位检测像素的第六实施例中的需要注意的关注点的图。

图12A和图12B是用于说明遮光膜与吸光膜之间的重叠量的图。

图13A和图13B是图示了第五实施例和第六实施例中的相位检测像素的变形例的图。

图14是用于说明根据本发明的相位检测像素的构造的图。

图15A到图15C是图示了相位检测像素的第七实施例到第九实施例的图。

图16是用于说明已经执行了出射光瞳校正的像素阵列部的构造的图。

图17A和图17B是用于说明已经执行了出射光瞳校正的像素阵列部的构造的图。

图18A到图18C是图示了遮光膜的布置示例的图。

图19是图示了根据本发明的摄像装置的构造示例的框图。