[发明专利]用于更均匀的层厚度的基板支撑环

说明书

本文提供基板支撑环的实施方式，所述基板支撑环使基板上所沉积或生长的层有更均匀的厚度。一些实施方式中，基板支撑环包括：内环，所述内环具有置中的支撑表面，以支撑基板；以及外环，所述外环从所述支撑表面径向向外延伸，其中所述外环包含反应表面区域，所述反应表面区域设置在所述支撑表面的支撑平面上方且大致平行所述支撑表面的支撑平面，且其中所述反应表面延伸超出所述支撑表面约24mm至约45mm。

技术领域

本发明的实施方式大致关于半导体处理。

背景技术

诸如半导体晶片之类的基板可由支撑装置(诸如边缘环)所支撑，以在处理腔室内处理。一些半导体制造工艺(诸如沉积或生长氧化物层的工艺)中，在处理腔室中启动燃烧反应而生成氧物种(oxygen species)，以有助于氧化物层的生长。然而，发明人已观察到在一些工艺中，工艺的不均匀可能发生，这影响晶片表面上的层的厚度均匀度。特别是，已观察到在基板边缘有不同的沉积或生长速率，导致基板边缘有不均匀的层形成。

因此，发明人已提供基板支撑件的实施方式，所述基板支撑件可有助于在一些半导体制造工艺期间提高工艺均匀度。

发明内容

在此提供基板支撑环的实施方式，所述基板支撑环使基板上所沉积或生长的层有更均匀的厚度。一些实施方式中，基板支撑环包括：内环，所述内环包括置中(centrallylocated)的支撑表面，所述支撑表面适于支撑基板；以及外环，所述外环从所述支撑表面径向向外延伸，其中所述外环包含反应表面区域，所述反应表面区域设置在所述支撑表面的支撑平面上方且大致平行所述支撑表面的支撑平面，且其中所述反应表面延伸超出所述支撑表面约24mm至约45mm。

一些实施方式中，基板支撑装置包括：内环，所述内环包含置中的支撑表面以支撑基板；以及外环，所述外环从所述支撑表面径向向外延伸，其中所述外环包含反应表面区域，所述反应表面区域位于所述支撑表面的支撑平面上方且大致平行所述支撑表面的支撑平面，其中所述反应表面延伸超出所述支撑表面约24mm至约34mm，且其中所述反应表面在所述支撑表面上方约0.86mm至约0.97mm处。

一些实施方式中，基板处理装置包括腔室主体与基板支撑装置，所述腔室主体包围处理空间，而所述基板支撑装置设置且支撑在所述处理空间内。基板处理装置包括：内环，所述内环包含置中的支撑表面，所述支撑表面适于支撑基板；以及外环，所述外环从所述基板支撑表面径向向外延伸，其中所述外环包含反应表面区域，所述反应表面区域位于所述支撑表面的支撑平面上方且大致平行所述支撑表面的支撑平面，所述反应表面延伸超出所述支撑表面约24mm至约45mm。

本发明的其他与进一步的实施方式于下文中描述。

附图说明

以上简短概述及以下更加详细讨论的本发明的实施方式，可通过参考附图中所描绘的本发明的说明性实施方式而理解。然而应了解，附图仅说明本发明的典型实施方式，且因此不应考虑为限制本发明的范围，因为本发明可认知有其它等同效果的实施方式。

图1描绘根据本发明的一些实施方式的基板支撑环的顶视图。

图2描绘沿II-II所截取的图1的基板支撑环的剖面视图。

图3描绘包括根据本发明的一些实施方式的基板支撑环的处理腔室的示意性剖面视图。

图4A与图4B描绘在相同腔室条件下处理的分别在非旋转晶片与旋转晶片上沉积或生长的层的所观察到的厚度。

图5描绘使用根据本发明的实施方式的基板支撑环于不同温度下在基板上沉积或生长的示范性层厚度的图表。

为了帮助理解，已尽可能地使用相同的元件符号以标示各图都有的相同元件。附图并非依比例绘制且为了清楚而可能简化。应考虑一个实施方式的元件及特征可有益地并入其它实施方式中而无须进一步说明。

具体实施方式