[发明专利]具有横向电场驱动型液晶表示元件用液晶取向膜的基板的制造方法有效
申请号: | 201480040018.2 | 申请日: | 2014-05-13 |
公开(公告)号: | CN105393167B | 公开(公告)日: | 2019-05-10 |
发明(设计)人: | 根木隆之;芦泽亮一;万代淳彦;名木达哉;川月喜弘;近藤瑞穂 | 申请(专利权)人: | 日产化学工业株式会社;公立大学法人兵库县立大学 |
主分类号: | G02F1/1337 | 分类号: | G02F1/1337;C08L101/02 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 横向 电场 驱动 液晶 表示 元件 取向 制造 方法 | ||
1.一种具有横向电场驱动型液晶表示元件用液晶取向膜的基板的制造方法,其通过具备如下工序而得到被赋予了取向控制能力的所述液晶取向膜:
[I]将聚合物组合物涂布在具有横向电场驱动用导电膜的基板上而形成涂膜的工序,所述聚合物组合物含有:(A)在特定的温度范围内表现出液晶性的感光性侧链型高分子、以及(B)有机溶剂;
[II]对[I]中得到的涂膜照射偏振紫外线的工序;
[III]将[II]中得到的涂膜进行加热的工序;以及
[IV]将[III]中加热的涂膜冷却至不足该涂膜表面的玻璃化转变温度的温度后,再加热至该玻璃化转变温度以上的温度的工序。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,[IV]工序中的涂膜的冷却温度是比作为(A)成分的侧链型高分子的玻璃化转变点温度(Tg)低10℃以上的温度。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,紫外线照射后的涂膜的加热温度和冷却后的再加热温度为涂膜表面的玻璃化转变温度以上且不足涂膜表面的均质相转变温度的温度。
4.根据权利要求1或2所述的方法,其中,(A)成分具有会发生光交联、光异构化或光弗利斯重排的感光性侧链。
5.根据权利要求1或2所述的方法,其中,(A)成分具有选自由下述式(1)~(6)组成的组中的任一种感光性侧链,
式中,A、B、D各自独立地表示单键、-O-、-CH2-、-COO-、-OCO-、-CONH-、-NH-CO-、-CH=CH-CO-O-或-O-CO-CH=CH-;
S为碳数1~12的亚烷基,键合于它们的氢原子任选被卤素基团取代;
T为单键或碳数1~12的亚烷基,键合于它们的氢原子任选被卤素基团取代;
Y1表示选自1价的苯环、萘环、联苯环、呋喃环、吡咯环和碳数5~8的脂环式烃中的环,或者是选自这些取代基中的相同或不同的2~6个环借助键合基团B键合而成的基团,键合于它们的氢原子各自独立地任选被-COOR0、-NO2、-CN、-CH=C(CN)2、-CH=CH-CN、卤素基团、碳数1~5的烷基、或碳数1~5的烷氧基取代,式中,R0表示氢原子或碳数1~5的烷基;
Y2为选自由2价的苯环、萘环、联苯环、呋喃环、吡咯环、碳数5~8的脂环式烃和它们的组合组成的组中的基团,键合于它们的氢原子各自独立地任选被-NO2、-CN、-CH=C(CN)2、-CH=CH-CN、卤素基团、碳数1~5的烷基、或碳数1~5的烷氧基取代;
R表示羟基、碳数1~6的烷氧基,或者表示与Y1相同的定义;
X表示单键、-COO-、-OCO-、-N=N-、-CH=CH-、-C≡C-、-CH=CH-CO-O-或-O-CO-CH=CH-,X的数量达到2时,X任选彼此相同或不同;
Cou表示香豆素-6-基或香豆素-7-基,键合于它们的氢原子各自独立地任选被-NO2、-CN、-CH=C(CN)2、-CH=CH-CN、卤素基团、碳数1~5的烷基、或碳数1~5的烷氧基取代;
q1和q2中的一者为1,另一者为0;
q3为0或1;
P和Q各自独立地为选自由2价的苯环、萘环、联苯环、呋喃环、吡咯环、碳数5~8的脂环式烃和它们的组合组成的组中的基团;其中,X为-CH=CH-CO-O-、-O-CO-CH=CH-时,-CH=CH-所键合的一侧的P或Q为芳香环,P的数量达到2以上时,P任选彼此相同或不同,Q的数量达到2以上时,Q任选彼此相同或不同;
l1为0或1;
l2为0~2的整数;
l1和l2均为0时,T为单键时A也表示单键;
l1为1时,T为单键时B也表示单键;
H和I各自独立地为选自2价的苯环、萘环、联苯环、呋喃环、吡咯环和它们的组合中的基团。
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