[发明专利]金属无PVD传导结构

权利要求书

1.一种结合到微电子组件中的结构，包括：

衬底区域，具有相面对的第一表面和第二表面以及开口，所述开口具有在从所述第一表面朝向所述第二表面的第一方向上延伸的壁；

势垒区域，覆盖所述衬底区域的所述开口的所述壁并且沿所述壁在所述第一方向上延伸，所述势垒区域包括二氧化硅(SiO₂)、碳化硅(SiC)、碳氧化硅(SiOC)、和氮氧化硅(SiON)中的至少一种；

合金区域，位于所述势垒区域上，沿所述壁在所述第一方向上延伸，所述合金区域包括第一金属以及选自由硅(Si)、锗(Ge)、铟(Id)、硼(B)、砷(As)、锑(Sb)、碲(Te)或镉(Cd)组成的组中的一种或多种元素，

其中所述结构还包括：

金属区域，覆盖所述合金区域，所述金属区域被无电或电解的至少一种方式沉积，

并且其中来自所述合金区域的一种或多种元素的浓度在所述金属区域中小于1原子百分比(atom％)。

2.根据权利要求1所述的结构，其中所述第一金属包括铜(Cu)、镍(Ni)、钴(Co)、铝(Al)、锡(Sn)、金(Au)、钼(Mo)或钨(W)中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的结构，其中所述衬底区域包括硅(Si)。

4.根据权利要求1所述的结构，其中所述合金区域包括铜-硅(CuSi)或铜-锗(CuGe)。

5.根据权利要求1所述的结构，其中所述金属区域包括铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)或铝(Al)中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的结构，其中来自所述合金区域的所述一种或多种元素的浓度在所述金属区域内不是均匀分布的。

7.根据权利要求1所述的结构，其中来自所述合金区域的所述一种或多种元素的浓度在所述金属区域内是均匀分布的。

8.根据权利要求1所述的结构，其中所述金属区域在穿过所述第一表面和所述第二表面之间的所述衬底区域的厚度的第一方向上延伸，并且通过所述势垒区域或所述合金区域中的至少一个与所述衬底区域分离。

9.根据权利要求1所述的结构，其中所述结构是中介层，并且所述金属区域在所述第一表面和所述第二表面之间提供导电路径。

10.一种结合到微电子组件中的结构，包括：

硅区域，具有相面对的第一表面和第二表面，并且包括一个或多个开口，每个开口均在从所述第一表面朝向所述第二表面的第一方向上延伸，

势垒区域，覆盖每个开口的壁，所述势垒区域包括氮化硅或碳化硅中的至少一种；以及

合金区域，覆盖所述势垒区域，所述合金区域包括第一金属以及硅(Si)、锗(Ge)、铟(Id)、硼(B)、砷(As)、锑(Sb)、碲(Te)或镉(Cd)中的至少一种，

其中所述结构还包括：

金属区域，覆盖所述合金区域，所述金属区域包括无电或电解沉积的第一金属，

并且其中来自所述合金区域的一种或多种元素的浓度在所述金属区域中小于1原子百分比(atom％)。

11.根据权利要求10所述的结构，其中所述第一金属包括铜(Cu)、镍(Ni)、铝(Al)、锡(Sn)、金(Au)、钼(Mo)或钨(W)中的一种或多种。