[发明专利]具有位单元和逻辑单元划分的单片式三维(3D)随机存取存储器(RAM)阵列架构在审

专利信息
申请号: 201480039131.9 申请日: 2014-07-10
公开(公告)号: CN105378843A 公开(公告)日: 2016-03-02
发明(设计)人: P·卡迈勒;Y·杜 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: G11C8/12 分类号: G11C8/12;H01L27/06;G11C5/02
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 张扬;王英
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 具有 单元 逻辑 划分 单片 三维 随机存取存储器 ram 阵列 架构
【权利要求书】:

1.一种三维(3D)随机存取存储器(RAM),包括:

第一3D集成电路(IC)(3DIC)层,其包括:

被布置在所述第一3DIC层中的第一RAM数据存储体;

被布置在所述第一3DIC层中的第二RAM数据存储体;

第一RAM存取逻辑单元,其包括在所述被布置在所述第一3DIC层中的第一RAM数据存储体和所述被布置在所述第一3DIC层中的第二RAM数据存储体之间布置的第一全局块控制逻辑单元,所述RAM存取逻辑单元被配置为控制对所述被布置在所述第一3DIC层中的第一RAM数据存储体和所述被布置在所述第一3DIC层中的第二RAM数据存储体的数据存取;

第二3DIC层,其包括:

被布置在所述第二3DIC层中的第一RAM数据存储体;

被布置在所述第二3DIC层中的第二RAM数据存储体;

第二RAM存取逻辑单元,其包括在所述被布置在所述第二3DIC层中的第一RAM数据存储体和所述被布置在所述第二3DIC层中的第二RAM数据存储体之间布置的第二全局块控制逻辑单元,所述第二RAM存取逻辑单元被配置为控制对所述被布置在所述第二3DIC层中的第一RAM数据存储体和所述被布置在所述第二3DIC层中的第二RAM数据存储体的数据存取。

2.根据权利要求1所述的3DRAM,其中,所述第一层中的第一RAM数据存储体包括至少一个静态RAM(SRAM)数据存储体。

3.根据权利要求1所述的3DRAM,其中,所述第一层中的第一RAM数据存储体包括至少一个动态RAM(DRAM)数据存储体。

4.根据权利要求1所述的3DRAM被布置在单片式3DIC中。

5.根据权利要求1所述的3DRAM,还包括:具有被布置在其中的相应的RAM数据存储体的至少一个另外的3DIC层。

6.根据权利要求1所述的3DRAM,还包括:被配置为提供针对所述3DRAM的输入和输出的全局数据路径。

7.根据权利要求6所述的3DRAM,其中,所述全局数据路径是放置在所述第一3DIC层和所述第二3DIC层中的顶部的3DIC层上的。

8.根据权利要求6所述的3DRAM,其中,所述全局数据路径是放置在所述第一层和所述第二层中的底部的3DIC层上的。

9.根据权利要求1所述的3DRAM,还包括:多个单片式层间通孔(MIV),其将所述第一层耦合到所述第二层。

10.根据权利要求1所述的3DRAM被集成到IC中。

11.根据权利要求1所述的3DRAM被集成到从包括下列各项的组中选择的设备中:机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝式电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监控器、计算机监控器、电视、调谐器、无线电单元、卫星无线电单元、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频光盘(DVD)播放器、以及便携式数字视频播放器。

12.一种三维(3D)随机存取存储器(RAM),包括:

第一3D集成电路(IC)(3DIC)层,其包括:

被布置在所述第一3DIC层中的第一存储器单元;

被布置在所述第一3DIC层中的第二存储器单元;

第一RAM存取逻辑单元,其包括在所述被布置在所述第一3DIC层中的第一存储器单元和所述被布置在所述第一3DIC层中的第二存储器单元之间布置的第一全局块控制逻辑单元,所述RAM存取逻辑单元被配置为控制对所述被布置在所述第一3DIC层中的第一存储器单元和所述被布置在所述第一3DIC层中的第二存储器单元的数据存取;

第二3DIC层,其包括:

被布置在所述第二3DIC层中的第一存储器单元;

被布置在所述第二3DIC层中的第二存储器单元;

第二RAM存取逻辑单元,其包括在所述被布置在所述第二3DIC层中的第一存储器单元和所述被布置在所述第二3DIC层中的第二存储器单元之间布置的第二全局块控制逻辑单元,所述第二RAM存取逻辑单元被配置为控制对所述被布置在所述第二3DIC层中的第一存储器单元和所述被布置在所述第二3DIC层中的第二存储器单元的数据存取。

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