[发明专利]多结太阳能电池有效
申请号: | 201480037825.9 | 申请日: | 2014-06-16 |
公开(公告)号: | CN105359279B | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 马蒂厄·鲍德瑞特;托马斯·西格纳玛谢克斯 | 申请(专利权)人: | 原子能和替代能源委员会 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0725;H01L31/043 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司11270 | 代理人: | 徐川,武晨燕 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 | ||
1.一种太阳能电池,包括:
至少两个子电池(23,25)的堆叠,其中在两个相邻的子电池之间插入第一隧道二极管(27),该第一隧道二极管(27)包括以相反的导电类型掺杂的叠加的第一层和第二层(29,31);
第一电极(35)和第二电极(39),分别与所述堆叠的一面(28)和另一面(22)接触;以及
对于至少一个第一隧道二极管(27),第三电极(41)和第四电极(43)分别与所述第一隧道二极管的所述第一层(31)和所述第二层(29)电接触。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中:
-所述第一电极(35)与所述堆叠的暴露于光辐射的所述面(28)接触;以及
-所述第二电极(39)与所述堆叠的与暴露于光辐射的所述面相对的面(22)接触。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池,其中,对于所述至少一个第一隧道二极管(27),在所述堆叠的暴露于光辐射的所述面(28)的一侧或者在所述堆叠的与暴露于光辐射的所述面相对的面(22)的一侧,所述第三电极和所述第四电极(41,43)分别与所述第一隧道二极管的所述第一层和所述第二层(31,29)接触。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的太阳能电池,其中,对于每个隧道二极管(27),第三电极(41)和第四电极(43)分别与所述第一隧道二极管的所述第一层(31)和所述第二层(29)电接触。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的太阳能电池,其中,通过第二隧道二极管将至少两个相邻的子电池(63,65)隔开,该第二隧道二极管的第一层(73)和第二层(71)不与任何电极接触,其中所述至少两个相邻的子电池形成串联连接的子电池的组件。
6.根据权利要求1-3中任一项所述的太阳能电池,其中,对于至少一个第一隧道二极管(27),所述第一隧道二极管还包括放置在所述堆叠的所述第一层和所述第二层(29,31)的两侧、分别与所述第一层(31)和所述第二层(29)接触的导电的第一阻挡层和导电的第二阻挡层。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池,其中,所述第三电极(41)与所述第一阻挡层直接接触,所述第四电极(43)与所述第二阻挡层直接接触。
8.一种用于形成太阳能电池的方法,包括以下步骤:
a)形成至少两个子电池(123,125)的堆叠,其中在两个相邻的子电池之间插入隧道二极管(127),该隧道二极管(127)包括以相反的导电类型掺杂的叠加的第一层和第二层(129,131);
随后,以任何顺序:
b)形成第一电极(135)和第二电极(139),该第一电极(135)和第二电极(139)分别与所述堆叠的暴露于光辐射的面(128)以及与所述堆叠的与暴露于光辐射的所述面相对的面(122)接触;以及
c)对于至少一个隧道二极管(127),形成分别与所述隧道二极管的所述第一层(131)和所述第二层(129)电接触的第三电极(141)和第四电极(143)。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,在步骤c)中,对于每个隧道二极管(127),形成分别与所述隧道二极管的所述第一层(131)和所述第二层(129)电接触的第三电极(141)和第四电极(143)。
10.根据权利要求8或9所述的方法,其中,在步骤a)中,插入有隧道二极管(127)的至少两个子电池(123,125)的所述堆叠是通过外延生长形成的。
11.根据权利要求8或9所述的方法,在步骤a)与步骤c)之间,还包括以下步骤:针对至少一个隧道二极管(127),形成第一开口(133)和第二开口(134),使得分别暴露所述隧道二极管的所述第一层(131)的一部分(132)和所述隧道二极管的所述第二层(129)的一部分(130)。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,在形成所述第一电极和所述第二电极(135,139)的步骤b)之前执行针对至少一个隧道二极管(127)来形成所述第一开口和所述第二开口(133,134)的步骤。
13.根据权利要求11所述的方法,其中,所述第一开口和所述第二开口(133,134)是通过各向异性刻蚀的方法形成的。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于原子能和替代能源委员会,未经原子能和替代能源委员会许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480037825.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种自泄压油浸式潜水电泵
- 下一篇:带有管道防垢器的潜油电泵导流装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的