[发明专利]运行流化床反应器的方法有效

专利信息
申请号: 201480035962.9 申请日: 2014-06-17
公开(公告)号: CN105339303B 公开(公告)日: 2017-12-19
发明(设计)人: 迪尔克·韦克塞尔 申请(专利权)人: 瓦克化学股份公司
主分类号: C01B33/107 分类号: C01B33/107;C01B33/027
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 代理人: 张英,宫传芝
地址: 德国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 运行 流化床 反应器 方法
【权利要求书】:

1.一种在由硅和HCl、或由硅和H2/四氯硅烷制备三氯硅烷的运行中,或在由三氯硅烷制备硅的运行中,运行流化床反应器的方法,包括:在吹洗(a)中在室温下在10至500Nm3/h的气体流速下用惰性气体对反应器和输气管进行吹洗0.5至10小时;然后在吹洗(b)中用被气体加热器加热至100-1000℃的H2对反应器和输气管进行吹洗,其中所述吹洗以200至1000Nm3/h的气体流速进行2至100小时;以及然后在吹洗(c)中用被气体加热器加热至100-1000℃的三氯硅烷或含三氯硅烷的混合物对反应器和输气管进行吹洗2至50小时,使用这样的吹洗气体的量,使得基于通过流化床的总气体的量,三氯硅烷或三氯硅烷混合物的浓度为10mol%至50mol%,以及基于通过反应气体喷嘴的总气体的量,所述三氯硅烷或所述三氯硅烷混合物的浓度为20mol%至50mol%。

2.根据权利要求1所述的方法,其中在按照(a)-(b)-(c)顺序的吹洗操作之后,由含有三氯硅烷的反应气体,在种子颗粒上沉积多晶硅。

3.根据权利要求2所述的方法,其中所述反应气体包括氢气和三氯硅烷。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,包括在反应气体包括三氯硅烷的情况下,在种子颗粒上沉积多晶硅,随后终止含三氯硅烷的反应气体的供给,在吹洗(b)中,用被气体加热器加热至100-1000℃的H2对所述反应器和所述输气管进行吹洗,其中所述吹洗以50至800Nm3/h的气体流速进行1至20小时,以及然后在室温下以10至500Nm3/h的气体流速用惰性气体对所述反应器和所述输气管进行吹洗1至20小时,以及然后打开和拆解所述反应器。

5.根据权利要求4所述的方法,其中所述反应器随后被重组,并加入种子颗粒。

6.根据权利要求5所述的方法,包括在所述反应器的拆解和重组之间,用惰性气体对反应器和输气管进行进一步的吹洗。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中所述吹洗(a)、(b)、(c)中的一个或多个通过变压吹洗来增强。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中所述惰性气体是氮气或稀有气体。

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