[发明专利]用于高性能涂层的沉积的方法以及封装的电子器件

权利要求书

1.一种用于在支撑光电器件的衬底上形成气密水份和氧屏障涂层的方法，其中所述衬底以一系列步骤处理，所述一系列步骤包括：

将所述衬底在处理腔室内保持在大约100℃之下的温度范围内并且通过将衬底定位在等离子体附近将至少三层透明材料沉积在所述衬底上，其中随着涂覆过程发生从所述等离子体发生朝向所述衬底的离子轰击；

通过等离子体增强化学气相沉积使所述衬底涂覆有厚度小于200nm的第一层透明材料，所述等离子体增强化学气相沉积包括邻近所述衬底来自所述等离子体的第一层的基本上离子轰击；

通过等离子体增强的化学气相沉积，将衬底涂覆有第二层透明材料，以形成透明介电层，所述第二透明介电层具有与第一层的透明材料大致相同的组分，其中，与第一层的沉积相比，具有来自相邻等离子体的离子轰击功率相对于膜生长速率的较小的比率，并且其中，所述第二层具有小于200nm的厚度；以及

通过等离子体增强的化学气相沉积，将衬底涂覆有厚度小于大约200nm的第三层的透明材料，该第三层的透明材料具有与第一和第二层的沉积的材料大致相同的组分，其中，来自相邻等离子体的离子轰击功率相对于膜生长速率的比率大致与第一层的沉积的相同，

其中，所述第一层是类型1层，与作为类型2层的第二层相比，所述类型1层是更硬的、更致密的并且较小可渗透的，

其中第一层、第二层和第三层具有碳含量0.5％到5％的碳掺杂。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述衬底是矩形的或连续的卷幅。

3.如权利要求1所述的方法，其中，被沉积在所述至少三层上的材料是具有小于10％氧含量的氮氧化硅。

4.如权利要求1所述的方法，其中，被沉积的材料基本上是氮化硅。

5.如权利要求1所述的方法，其中，厚度小于200nm的一个或多个额外层在小于100℃的维持的衬底温度下沉积，且其中一个或多个额外层以离子轰击功率对沉积速率的交替的比率沉积，该交替的比率在基本上与第二层和第一层的沉积相同的值之间交替。

6.如权利要求1所述的方法，其中，所述衬底在处理腔室中移动，并且在移动衬底的处理过程中，至少一个等离子体源被用于在相同时间在移动衬底的不同部分上将透明材料作为第一层中的材料沉积，且将透明介电层材料作为第二层中的材料沉积。

7.如权利要求1所述的方法，其中，在封装涂层被施加之前，低温喷射清洁在光电器件的顶部表面上进行。

8.如权利要求1所述的方法，其中，所述光电器件包括OLED或光伏器件中的至少一种。

9.一种在衬底上气密封装的OLED器件，包括：

支撑在衬底上的多层结构，所述多层结构包括下部导电层、空穴传输层、有机发光二极管层、电子传输层以及作为阴极的上部透明导电层；

作为多层结构之上的涂层的至少三层，其中所述至少三层是等离子体沉积的透明材料，该透明材料包括氮化硅和氮氧化硅中的至少一种，其中所述至少三层中的至少两层的组分基本上相同，但是所述至少两层在如下特性中的至少一个方面不同：硬度、内在应力、密度和折射率，使得所述至少两层中的特征为类型1的第一层比特征为类型2的第二层更硬和更致密；以及

所述至少三层中的第三层邻近所述第二层，并具有与第一层基本相同的特性，其中所述第一层和第三层抵抗水份渗透，

其中，所述类型1层比类型2层硬，并且所述类型1层具有在80GPa和240GPa之间的弹性模量，而所述类型2层具有在40GPa和130GPa之间的弹性模量，所述器件是柔性的且在柔性衬底上构建，

其中第一层、第二层和第三层具有碳含量0.5％到5％的碳掺杂。