[发明专利]太阳能电池结构及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造包括细长纳米线的阵列的太阳能电池结构的方法，所述细长纳米线的阵列包括具有直接带隙的半导体材料，所述方法包括以下步骤：

在材料层上提供第一结构，所述第一结构包括所述纳米线阵列及聚合物基质，所述纳米线阵列被完全嵌入到所述聚合物基质中，

将具有所述嵌入的纳米线的所述聚合物基质与所述材料层分离，

移除所述聚合物材料的一部分，使得相应的所述纳米线的至少第一末端从所述聚合物基质伸出，

提供覆盖相应的所述纳米线的所述伸出末端的导电层，

在所述导电层下方提供粘接层，

通过使用溶剂完全地移除所述聚合物基质，

沉积电绝缘层，

暴露每一纳米线的第二末端，

沉积光学透明导电层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述暴露每一纳米线的第二末端的步骤包括：移除所述电绝缘层的一部分，使得仅每一纳米线的所述第二末端的顶表面变成暴露的。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述材料层为衬底，且所述方法进一步包括以下步骤：

生长实质上一维纳米线的阵列，其中，针对每一纳米线，

在第一子步骤中，从所述衬底生长具有超过1*10^18/cm³的掺杂度及第一极性的所述纳米线的第一区段，

在第二子步骤中，在所述第一区段上生长具有低于1*10^18/cm³的掺杂度的所述纳米线的又一区段。

4.根据权利要求3所述的方法，进一步包括以下步骤：

在第三子步骤中，在所述又一区段上生长具有超过1*10^18/cm³的掺杂度及与所述第一极性互补的第二极性的所述纳米线的第二区段，且所述第二区段的长度低于180nm，所述长度低于所述第一区段的长度。

5.根据权利要求4所述的方法，进一步包括以下步骤：

在第四子步骤中，在所述第二区段上生长所述纳米线的另一区段，

在沉积所述光学透明导电层之前移除所述另一区段。

6.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括以下步骤：

从外部径向地钝化所述纳米线。