[发明专利]太阳能电池

说明书

根据实施例的一种太阳能电池包括：支撑基板；在所述支撑基板上的背电极层；在所述背电极层上的光吸收层；在所述光吸收层上的缓冲层；在所述缓冲层上的前电极层；以及，被形成为穿过所述背电极层、所述光吸收层、所述缓冲层和所述前电极层的第四通孔，其中，所述第四通孔相对于所述支撑基板的顶表面倾斜。

技术领域

本实施例涉及太阳能电池。

背景技术

近来，关于环境污染和自然资源的消耗的关注已经增加，因此，太阳能电池作为具有高的能量效率而没有环境污染的问题的替代能源被关注。根据太阳能电池的构成，太阳能电池被分类为硅半导体太阳能电池(silicon semiconductor solar cell)、化合物半导体太阳能电池(compound semiconductor solar cell)和堆叠型太阳能电池(stack-typesolar cell)。根据本实施例的包括CIGS光吸收层的太阳能电池可以属于化合物半导体太阳能电池。

I-III-VI族化合物半导体CIGS具有1eV或更大的直接跃迁能带隙以及在半导体中最高的光吸收系数。CIGS具有非常稳定的电光特性，因此CIGS是用于太阳能电池的光吸收层的理想材料。

通过依次沉积基板、背电极层、光吸收层、缓冲层和前电极层来制造太阳能电池。此外，该太阳能电池具有：第一通孔，用于将背电极层短路；第二通孔，用于将光吸收层和缓冲层短路；第三通孔，用于将前电极层短路；以及，第四通孔，用于将边缘部分短路。

可以通过激光蚀刻或通过在执行激光蚀刻后使用针状物(needle)执行机械蚀刻来形成第四通孔。

然而，在激光蚀刻的情况下，前电极层可能因为激光的高能量而熔化，因此前电极层可以与背电极层接触，由此引起短路。另外，在两步骤处理中可能会增加处理步骤，因此可能降低处理效率。

因此，需要提供具有新颖结构的太阳能电池，其中，可以更有效地形成第四通孔。

发明内容

【技术问题】

本实施例提供了一种太阳能电池，其具有新颖结构，该新颖结构包括具有倾斜表面的第四通孔。

【技术方案】

根据第一实施例，提供了一种太阳能电池，包括：支撑基板；在所述支撑基板上的背电极层；在所述背电极层上的光吸收层；在所述光吸收层上的缓冲层；在所述缓冲层上的前电极层；以及，被形成为穿过所述背电极层、所述光吸收层、所述缓冲层和所述前电极层的第四通孔，其中，所述第四通孔相对于所述支撑基板的顶表面倾斜。

根据第二实施例，提供了一种太阳能电池，包括：支撑基板；在所述支撑基板上的背电极层；在所述背电极层上的光吸收层；在所述光吸收层上的前电极层；以及，被形成为穿过所述背电极层、所述光吸收层和所述前电极层的第四通孔，其中，所述第四通孔包括与所述支撑基板的所述顶表面垂直的第一表面和从所述第一表面延伸并且相对于所述支撑基板的所述顶表面倾斜的第二表面。

【有益效果】

在根据第一实施例的太阳能电池中，所述第四通孔相对于所述支撑基板的所述顶表面倾斜预定的倾斜角。

根据现有技术，如同所述第一至第三通孔那样，第四通孔被形成为与所述支撑基板的顶表面垂直。在这种情况下，通过激光蚀刻来形成所述第四通孔，或者，通过在执行激光蚀刻后使用针状物执行机械蚀刻来形成所述第四通孔。

然而，如果根据现有技术执行激光蚀刻或激光蚀刻和机械蚀刻，则前电极层可能因为激光的高能量而熔化，因此前电极层可能与在前电极层下布置的背电极层接触，由此引起短路。另外，如果通过初步蚀刻和第二蚀刻来形成第四通孔，则可能增加处理步骤，因此可能降低处理效率。

因为这个原因，根据第一实施例的太阳能电池，当形成所述第四通孔时所述第四通孔的内表面是倾斜的。