[发明专利]碳化硅粉体

说明书

本发明是一种碳化硅粉体，其适用于生产高强度的碳化硅烧结体，其中：在由硅源、碳源和催化剂组成的混合物中的碳和硅的摩尔比是2.5以上；并且平均粒径为10μm以上且25μm以下。

技术领域

本发明涉及一种碳化硅粉体。

背景技术

迄今为止，已经提出了一种高纯度的碳化硅粉体的制造方法，其通过将在常温下为液体的硅源(具体地，硅酸乙酯)、在常温下为液体的碳源(具体地，酚醛树脂)、和能够溶解碳源的催化剂(具体地，马来酸)混合。具体地，碳化硅粉体通过将含有硅源、碳源和催化剂的混合物加热来生产(例如，专利文献1)。

在使用马来酸作为催化剂的情况下，与使用甲苯磺酸作为催化剂的情况相比，包含于碳化硅粉体中的硫磺的含量低。因此，使用马来酸作为催化剂确保了适用于其中硫磺用作杂质的半导体领域的碳化硅粉体的生产。

另外，为了生产平均粒径为100至200μm的碳化硅粉体，也已经提出了将含有硅源、碳源和催化剂的混合物分两个阶段加热的技术。此外，也已知的是，当包含于碳源中的碳与包含于硅源中的硅之间的比(下文中，C/Si)大于2.0且小于2.5时，游离碳的量可以减少(例如，专利文献2)。

引用列表

专利文献

专利文献1：日本专利申请公布No.Hei 10-120411

专利文献2：日本专利申请公布No.2009-173501

发明内容

发明要解决的问题

同时，烧结的碳化硅通过以下来生产：将碳化硅粉体粉碎，将粉碎的碳化硅粉体(下文中，粉碎的粉体)放置在烧结体模具中，并且将放置在所述烧结体模具中的粉碎的粉体烧结。要求此类烧结的碳化硅作为高强度的烧结的碳化硅。

作为深入研究的结果，本发明人已经发现了用于生产高强度的烧结的碳化硅的适当的C/Si和适当的碳化硅粉体的平均粒径。

因此，已经做出本发明来满足上述要求。本发明的目的是提供一种碳化硅粉体，其适用于生产高强度的烧结的碳化硅。

用于解决问题的方案

根据第一特征的碳化硅粉体的特征在于：包含于含有硅源、碳源和催化剂的混合物中的碳与包含于所述混合物中的硅之间的比以摩尔比计是2.5以上。所述碳化硅粉体的平均粒径为10μm以上且25μm以下。

在第一特征中，在所述碳化硅粉体的粒径分布中，具有较小的粒径的累积颗粒占有90％时的粒径是大于25μm且不大于50μm。

在第一特征中，所述硅源是硅酸甲酯。

发明的效果

本发明可以提供一种碳化硅粉体，其适用于生产高强度的烧结的碳化硅。

附图说明

图1是说明根据第一实施方案的碳化硅粉体的制造方法的流程图。

图2是根据第一实施方案的碳化硅粉体的粒径分布的图。

图3是示出实验结果的表。

具体实施方式

下文中，根据本发明的实施方案的碳化硅粉体将参考图来描述。注意的是，在图的以下说明中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的元素和部分。