[发明专利]化合物半导体膜成膜用衬底的移载装置和移载方法以及化合物半导体膜的成膜系统和成膜方法

权利要求书

1.一种化合物半导体膜成膜用衬底的移载装置，其相对于衬底保持件移载化合物半导体膜成膜用的衬底，所述化合物半导体膜成膜用衬底的移载装置的特征在于，包括：

支承所述衬底保持件的支承部；

在所述衬底保持件的衬底保持部能够使衬底升降的升降部件；和

遮蔽部件，其随着所述升降部件的升降而升降，在所述升降部件接收衬底时介于衬底与所述升降部件之间，在衬底被所述衬底保持部保持时，在衬底的背面侧遮蔽所述衬底保持件的用于插通所述升降部件的孔，

在所述升降部件上升了的状态下，将衬底载置在所述遮蔽部件上，或者对所述遮蔽部件上的衬底进行输送。

2.如权利要求1所述的化合物半导体膜成膜用衬底的移载装置，其特征在于：

所述衬底保持件具有多个衬底保持部。

3.如权利要求2所述的化合物半导体膜成膜用衬底的移载装置，其特征在于，包括：

旋转机构，其使所述衬底保持件旋转，以使所述多个衬底保持部与所述升降部件对应。

4.如权利要求1所述的化合物半导体膜成膜用衬底的移载装置，其特征在于：

所述移载装置与用于形成所述化合物半导体膜的装置分别设置。

5.如权利要求1所述的化合物半导体膜成膜用衬底的移载装置，其特征在于：

所述遮蔽部件为TaC、SiC、SiC涂层石墨、石墨中的任一种。

6.如权利要求1所述的化合物半导体膜成膜用衬底的移载装置，其特征在于，还包括：

收容所述衬底保持件的、在内部进行衬底的移载的容器；和

用于在容器内形成清洁空气的下降流的部件。

7.一种化合物半导体膜成膜用衬底的移载方法，其用于移载化合物半导体膜成膜用的衬底，所述化合物半导体膜成膜用衬底的移载方法的特征在于，包括：

准备具有衬底保持部的衬底保持件的步骤，该衬底保持部形成有用于插通能够使衬底升降的升降部件的孔；

利用遮蔽部件遮蔽所述孔的步骤；

使所述升降部件与所述遮蔽部件一起上升的步骤；

在该状态下将衬底载置于所述遮蔽部件上的步骤；和

使所述升降部件下降，并且在所述遮蔽部件在衬底的背面侧遮蔽所述孔的状态下使所述衬底保持部保持衬底的步骤。

8.如权利要求7所述的化合物半导体膜成膜用衬底的移载方法，其特征在于：

所述衬底保持件具有多个衬底保持部。

9.如权利要求8所述的化合物半导体膜成膜用衬底的移载方法，其特征在于：

使所述衬底保持件旋转，以使所述多个衬底保持部与所述升降部件对应。

10.如权利要求7所述的化合物半导体膜成膜用衬底的移载方法，其特征在于：

所述遮蔽部件为TaC、SiC、SiC涂层石墨、石墨中的任一种。

11.如权利要求7所述的化合物半导体膜成膜用衬底的移载方法，其特征在于，还包括：

在将衬底保持于所述衬底保持部的状态下使所述升降部件与所述遮蔽部件及其上的衬底一起上升的步骤；

在该状态下输送所述遮蔽部件上的衬底的步骤；和

在输送完衬底之后使所述升降部件与所述遮蔽部件一起下降而遮蔽所述孔的步骤。

12.一种化合物半导体膜的成膜系统，其特征在于，包括：

移载装置，其相对于具有多个衬底保持部的衬底保持件进行多个化合物半导体膜成膜用的衬底的移载；

成膜处理装置，其利用所述移载装置搬入载置有多个衬底的所述衬底保持件，并在载置于所述衬底保持件的多个衬底上形成化合物半导体膜；和

输送装置，其在所述移载装置与所述成膜处理装置之间输送衬底保持件，

所述移载装置包括：

支承所述衬底保持件的支承部；

在所述衬底保持件的衬底保持部能够使衬底升降的升降部件；和

遮蔽部件，其随着所述升降部件的升降而升降，在所述升降部件接收衬底时介于衬底与所述升降部件之间，在衬底被所述衬底保持部保持时，在衬底的背面侧遮蔽所述衬底保持件的用于插通所述升降部件的孔，

在所述升降部件上升了的状态下，将衬底载置在所述遮蔽部件上，或者对所述遮蔽部件上的衬底进行输送。

13.一种化合物半导体膜的成膜方法，其用于在多个化合物半导体膜成膜用的衬底上形成化合物半导体膜，所述化合物半导体膜的成膜方法的特征在于，包括：

准备具有多个衬底保持部的衬底保持件的步骤，该衬底保持部形成有用于插通能够使衬底升降的升降部件的孔；

利用遮蔽部件遮蔽所述各孔的步骤；

在所述衬底保持部使所述升降部件与所述遮蔽部件一起上升的步骤；

在该状态下由输送装置将衬底载置于所述遮蔽部件上的步骤；

使所述升降部件下降，并且在所述遮蔽部件在衬底的背面侧遮蔽所述孔的状态下使所述衬底保持部分别保持衬底的步骤；和

将保持有多个衬底的所述衬底保持件输送到成膜装置，并在多个衬底上形成化合物半导体膜的步骤。