[发明专利]存储器系统中的擦除管理

权利要求书

1.一种用于管理非易失性存储器系统的方法，包括：

响应于接收到存储在所述非易失性存储器系统中的存储单元的区域中的数据是无效数据的通知，将所述区域标记为存储有无效数据；以及

限制所述存储单元的区域处于与随后用替换数据覆写所述存储单元中的所述无效数据相关联的擦除状态的时间量，其中，限制所述时间量包括延迟擦除所述区域中的所述存储单元中的所述无效数据的操作，以及在擦除所述无效数据之后开始将所述替换数据存储在所述区域的所述存储单元中，以确保所述存储单元被设置成所述擦除状态的时间量在预定的时间门限值以下。

2.如权利要求1所述的方法，其中，延迟擦除所述无效数据的操作包括：

监测对于所述非易失性存储器系统中的存储空间的需求；以及

响应于检测到对于在所述非易失性存储器系统中存储所述替换数据的需求，擦除所述区域中的所述无效数据。

3.如权利要求1所述的方法，其中，限制所述时间量包括：

降低与存储在所述存储单元中的所述替换数据相关联的固有电荷损耗率，所述固有电荷损耗率取决于在将所述替换数据存储在所述存储单元中之前所述存储单元的设置被设置成擦除状态的时间量。

4.如权利要求1所述的方法，其中，限制与对所述无效数据的覆写相关联的时间量包括：

将所述存储单元的设置维持在存储所述无效数据的先前编程状态，直到接收到擦除所述存储单元的命令为止，所述命令是响应于检测到所述非易失性存储器系统中的预留区带已经被重新分配为在其中存储新接收到的数据的当前区带而被接收的；以及

将所述存储单元的擦除区域指定为所述预留区带。

5.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

接收修改所述存储单元中的所述无效数据的命令；以及

响应于接收到所述命令，将所述区域中的所述存储单元的设置的少于全部的部分修改成在非擦除状态内，在所述非擦除状态下，所述无效数据变坏。

6.如权利要求5所述的方法，其中，将所述存储单元的设置的所述少于全部的部分修改成所述非擦除状态包括：

将所述区域中的第一组单元的设置从第一非擦除状态变成第二非擦除状态以使所述无效数据不可用。

7.如权利要求1或5或6所述的方法，进一步包括：

增大与所述存储单元相关联的擦除门限值；以及

将所述存储单元的设置修改成落在由增大的擦除门限值所限定的范围内。

8.如权利要求1或5或6所述的方法，进一步包括：

执行所述区域的部分擦除以破坏所述无效数据。

9.如权利要求1所述的方法，其中，限制所述时间量包括：

擦除所述存储单元的区域以破坏所述无效数据；以及

在利用所述替换数据对临时数据进行覆写之前，利用所述临时数据来对所述存储单元的区域进行编程。

10.如权利要求1或9所述的方法，其中，限制所述时间量包括：

降低与存储在所述存储单元中的所述替换数据相关联的固有电荷损耗率。

11.如权利要求1所述的方法，其中，标记所述区域包括：

修改存储在所述区域中的预定位置处的数据以指示所述区域包括无效数据，所述方法进一步包括：

利用所述预定位置处的所述数据的设置来确定所述区域存储有无效数据。