[发明专利]半导体片制造方法、包括半导体片的电路板和成像设备

说明书

技术领域

本发明涉及半导体片制造方法、包括半导体片的电路板和成像设备。

背景技术

已知一种利用厚划片机在半导体晶圆的后表面侧上形成凹槽以及利用薄划片机在半导体晶圆的前表面侧上形成凹槽以增加能够从单个半导体晶圆获得的芯片的数量的方法(PTL 1)。此外，已提出了一种通过化学蚀刻在晶圆的前表面上形成预定深度的凹槽和通过划片刀从晶圆的后表面形成与前表面上的凹槽相对应的凹槽以执行半导体芯片的切割的方法(PTL 2和PTL 3)。

引文列表

专利文献

[PTL 1]JP-A-4-10554

[PTL 2]JP-A-61-267343

[PTL 3]美国专利No.7897485

发明内容

技术问题

本发明的目的是提供一种用于抑制粘合剂层在半导体基底的前表面上的剩余的半导体片制造方法、包括半导体片的电路板和成像设备。

技术方案

[1]本发明的一方面提供了一种半导体片制造方法，该方法包括：在包括宽度从基底的前表面朝其后表面逐渐变窄的第一凹槽部分的前表面侧上形成凹槽的处理；在形成前表面侧上的凹槽之后将具有粘合剂层的保持构件附着至前表面上的处理；通过旋转切割构件从基底的后表面侧沿着前表面侧上的凹槽形成宽度大于前表面上的凹槽的宽度的后表面侧上的凹槽的处理；以及在形成后表面侧上的凹槽之后从前表面分离保持构件的处理。

[2]可为根据[1]所述的半导体片制造方法，其中，前表面侧上的凹槽包括从第一凹槽部分的最下部朝着基底的后表面延伸并且宽度不比最下部的宽度更窄的第二凹槽部分。

[3]可为根据[2]所述的半导体片制造方法，其中第一凹槽部分具有其中粘合剂层在当保持构件附着于前表面上时的时间点不进入第二凹槽部分的深度。

[4]可为根据[2]或[3]所述的半导体片制造方法，其中第一凹槽部分具有其中在通过旋转切割构件形成后表面侧上的凹槽之后粘合剂层不进入第二凹槽部分的深度。

[5]可为根据[2]至[4]中的任一项所述的半导体片制造方法，其中基底由于其前表面侧上的台式形状的元件而具有凸出部分和凹进部分，前表面侧上的凹槽的至少一部分设置在凹进部分中，粘合剂层具有跟随(follow)设置在凹进部分中的前表面侧上的凹槽的入口部分的厚度，并且被附着以跟随入口部分，并且第一凹槽部分具有其中被附着以跟随入口部分的粘合剂层不进入第二凹槽部分的深度。

[6]可为根据[2]至[5]中的任一项所述的半导体片制造方法，其中在其中假设整个第一凹槽部分形成有最下部的宽度的构造中，第一凹槽部分的最下部的宽度具有比粘合剂层进入的深度更窄的宽度。

[7]可为根据[1]至[6]中的任一项所述的半导体片制造方法，其中当执行该半导体片制造方法时，当粘合剂层在保持构件与前表面分离之后剩余时，并且当将制造方法应用于不同的基底时，形成在不同的基底上的第一凹槽部分的形状改变并且形成为其中粘合剂层不容易保留的形状。

[8]可为根据[2]所述的半导体片制造方法，其中当执行该半导体片制造方法时，当粘合剂层进入第二凹槽部分时，并且当将制造方法应用于不同的基底时，形成在不同的基底上的第一凹槽部分的形状改变并且形成为其中不容易剩余粘合剂层的形状。

[9]可为根据[7]或[8]所述的半导体片制造方法，其中当将制造方法应用于不同的基底时，改变和形成第一凹槽部分的深度、基底的前表面上的第一凹槽部分的开口宽度和其中第一凹槽部分的宽度逐渐变窄的角度中的至少一个。

[10]本发明的另一方面提供了一种半导体片制造方法，该方法包括：从基底的前表面在前表面侧上形成凹槽的处理；将具有粘合剂层的保持构件附着于其上形成有前表面侧上的凹槽的前表面上的处理；通过旋转切割构件从基底的后表面侧沿着前表面侧上的凹槽形成宽度大于前表面侧上的凹槽的宽度的后表面侧上的凹槽的处理；以及在形成后表面侧上的凹槽之后从前表面分离保持构件的处理，其中当执行制造方法时，当粘合剂层在基底上剩余时，以及当将制造方法应用于除所述基底之外的不同的基底时，形成在不同的基底上的第一凹槽部分的形状改变为其中粘合剂层不容易剩余的形状，以形成在不同的基底上。

[11]可为根据[1]所述的半导体片制造方法，其中通过各向异性干蚀刻形成前表面侧上的凹槽。