[发明专利]自偏置接收机有效
申请号: | 201480033689.6 | 申请日: | 2014-06-13 |
公开(公告)号: | CN105340174B | 公开(公告)日: | 2017-09-19 |
发明(设计)人: | Y·黄;T·C·布莱恩;M·维兰 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H03F1/30 | 分类号: | H03F1/30 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 李小芳 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 偏置 接收机 | ||
1.一种接收机,包括:
放大器;以及
偏置电路,其被配置成响应于由所述放大器产生的偏置电压而向所述放大器提供偏置电流,其中所述偏置电路包括第一电路和第二电路,所述第一电路被配置成通过使用来自所述放大器的反馈调整所述偏置电流来提供所述接收机的自偏置,且所述第二电路被配置成使用来自所述放大器的附加反馈来进一步调整所述偏置电流,
其中所述第一电路被进一步配置成使用来自所述放大器的负反馈来调整所述偏置电流,以及
其中所述第二电路包括被配置成提供所述偏置电流的源的第一晶体管和被配置成提供所述偏置电流的阱的第二晶体管。
2.如权利要求1所述的接收机,其特征在于,所述第二电路被进一步配置成在来自所述放大器的输出处于第一状态时导通所述第一晶体管并关断所述第二晶体管,以及在来自所述放大器的所述输出处于不同于所述第一状态的第二状态时关断所述第一晶体管并导通所述第二晶体管。
3.如权利要求1所述的接收机,其特征在于,所述第一电路包括第一晶体管和第二晶体管,并且其中所述第二电路的第一晶体管与第二晶体管的尺寸比小于所述第一电路的第一晶体管与第二晶体管的尺寸比。
4.如权利要求1所述的接收机,其特征在于,所述放大器包括第一放大器和第二放大器,所述第一放大器具有耦合至所述第二电路的输出,而所述第二放大器具有耦合至所述第一电路的输出。
5.如权利要求4所述的接收机,其特征在于,所述放大器具有包括来自所述第一放大器的输出的单端输出。
6.一种接收信号的方法,包括:
响应于由放大器产生的偏置电压而从偏置电路向所述放大器提供偏置电流,其中所述偏置电路包括第一电路和第二电路,所述第一电路被配置成通过使用来自所述放大器的反馈调整所述偏置电流来提供接收机的自偏置,且所述第二电路被配置成使用来自所述放大器的附加反馈来进一步调整所述偏置电流;以及
使用来自所述放大器的负反馈来调整所述偏置电流,
其中所述第二电路包括被配置成提供所述偏置电流的源的第一晶体管和被配置成提供所述偏置电流的阱的第二晶体管。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,进一步包括:
在来自所述放大器的输出处于第一状态时导通所述第一晶体管并关断所述第二晶体管;以及
在来自所述放大器的输出处于不同于所述第一状态的第二状态时关断所述第一晶体管并导通所述第二晶体管。
8.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述放大器包括第一放大器和第二放大器,所述第一放大器具有耦合至所述第二电路的输出,而所述第二放大器具有耦合至所述第一电路的输出。
9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述放大器具有包括来自所述第一放大器的输出的单端输出。
10.一种接收机,包括:
用于放大信号的放大装置;以及
用于响应于由所述放大装置产生的偏置电压而向所述放大装置提供偏置电流的偏置装置,其中所述偏置装置包括第一电路装置和第二电路装置,所述第一电路装置用于通过使用来自所述放大装置的反馈调整所述偏置电流来提供所述接收机的自偏置,且所述第二电路装置用于使用来自所述放大装置的附加反馈来调整所述偏置电流,
其中所述第一电路装置被进一步配置成使用来自所述放大装置的负反馈来调整所述偏置电流,以及
其中所述第二电路装置包括被配置成提供所述偏置电流的源的第一晶体管和被配置成提供所述偏置电流的阱的第二晶体管。
11.如权利要求10所述的接收机,其特征在于,所述第二电路装置被进一步配置成在来自所述放大装置的输出处于第一状态时导通所述第一晶体管并关断所述第二晶体管,以及在来自所述放大装置的所述输出处于不同于所述第一状态的第二状态时关断所述第一晶体管并导通所述第二晶体管。
12.如权利要求10所述的接收机,其特征在于,所述第一电路装置包括第一晶体管和第二晶体管,并且其中所述第二电路装置的第一晶体管与第二晶体管的尺寸比小于所述第一电路装置的第一晶体管与第二晶体管的尺寸比。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司,未经高通股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480033689.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:比吸收率缓和
- 下一篇:装置的设备内部能量供给