[发明专利]基板处理系统、基板处理方法以及计算机存储介质

说明书

技术领域

本发明涉及用于使基板薄化的基板处理系统、使用该基板处理系统的基板处理方法以及计算机存储介质，在该基板的表面形成有器件，并进一步相对于该表面接合有支承基板的表面。

本申请基于在2013年6月13日在日本国提出申请的特愿2013－124406号和在2014年5月27日在日本国提出申请的特愿2014－109233号要求优先权，并在此引用其内容。

背景技术

近年来，为了应对半导体器件的小型化、轻量化的要求，对于在表面形成有多个电子电路等器件的半导体晶圆(以下称作“晶圆”。)，对该晶圆的背面进行磨削和研磨而使晶圆薄化。

另外，半导体器件的高集成化不断发展，提出一种将该高集成化后的多个半导体器件三维层叠的技术、即三维集成技术。在该三维集成技术中，将多张晶圆层叠，借助形成于各晶圆的贯通电极(TSV：ThroughSiliconVia(硅通孔))将在上下方向上层叠的晶圆之间电连接。在该情况下，当仅将晶圆层叠时，该晶圆的厚度导致所制造的半导体器件也变厚，因此要使晶圆薄化。

这样的晶圆的薄化是利用例如专利文献1所记载的平坦化加工装置来进行的。在平坦化加工装置中，借助分隔壁划分出装载/卸载载物室、磨削加工载物室、以及研磨加工载物室这3个室。在磨削加工载物室中设有具有3组卡盘台的1台分度型转台。这3组卡盘台是用于对晶圆进行装载/卸载的卡盘台、用于对晶圆进行粗磨削加工的卡盘台、用于对晶圆进行精磨削加工的卡盘台这3组卡盘台。在研磨加工载物室中设有能够载置两张或4张晶圆的暂置台平台、同时对两张晶圆进行研磨加工的3组研磨平台、以及配置于这些暂置台平台和研磨平台的上方的1台分度型头。并且，在平坦化加工装置中，依次进行粗磨削加工、精磨削加工、研磨加工而使晶圆薄化。

专利文献1：日本国特开2011－165994号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在专利文献1所记载的平坦化加工装置中，用于进行粗磨削加工的卡盘台、用于进行精磨削加工的卡盘台、以及用于进行研磨加工的研磨平台均固定于装置内，不能使它们的数量增加或减少。即，这些卡盘台和研磨平台的数量是根据现行使用的粗磨削加工部件、精磨削加工部件、研磨加工部件和各加工所需的时间来设定的。因此，即使通过例如技术革新提高了加工部件、例如研磨部件的性能，也不能增加研磨平台的数量，其结果，不能提高晶圆处理整体的生产率。

另外，在粗磨削加工部件、精磨削加工部件、研磨加工部件中的、一加工部件产生了异常或者要对该加工部件进行维护的情况下，即使其他两个加工部件均正常，也需要使整个装置停止。因此，产品的制造效率较差。

如上所述，在专利文献1所记载的平坦化加工装置中，装置结构的自由度较低，在处理效率方面存在改善的余地。

本发明是鉴于该点而做出的，其目的在于，能够在基板处理系统中高效地进行使基板薄化的处理。

用于解决问题的方案

为了达到所述目的，本发明提供一种基板处理系统，其用于使基板薄化，在该基板的表面形成有器件，并进一步相对于该表面接合有支承基板的表面，其中，该基板处理系统包括：处理站，其用于对基板进行规定的处理；以及输入输出站，其能够保有多张基板，且用于相对于所述处理站输入输出基板，所述处理站具有：磨削装置，其用于对基板的背面进行磨削；损伤层去除装置，其用于将由于所述磨削装置进行磨削而形成于基板的背面的损伤层去除；清洗装置，其用于利用所述损伤层去除装置将所述损伤层去除之后对支承基板的背面进行清洗；以及基板输送区域，其用于相对于所述磨削装置、所述损伤层去除装置以及所述清洗装置输送基板，所述磨削装置、所述损伤层去除装置以及所述清洗装置分别能够在铅垂方向或水平方向上配置有多个，并且，所述磨削装置、所述损伤层去除装置以及所述清洗装置分别具有用于在内部容纳基板的壳体，所述磨削装置、所述损伤层去除装置以及所述清洗装置用于分别独立地在所述壳体内对基板进行规定的处理。

采用本发明，在一基板处理系统中，能够针对多张基板连续地进行磨削装置中的基板背面的磨削处理、损伤层去除装置中的损伤层的去除处理、以及清洗装置中的支承基板背面的清洗处理。

另外，在基板处理系统中，由于磨削装置、损伤层去除装置以及清洗装置分别构成为能够在铅垂方向或水平方向上配置有多个，因此，能够任意地设定这些装置的数量。因而，能够根据例如所要求的产品的规格等来改变磨削装置、损伤层去除装置、清洗装置的数量，另外，也可以仅改变任一装置的装置结构。