[发明专利]薄膜传感器有效

专利信息
申请号: 201480032502.0 申请日: 2014-05-08
公开(公告)号: CN105393099B 公开(公告)日: 2018-06-19
发明(设计)人: 斯蒂恩·莫利伯哲哥·玛珍 申请(专利权)人: 丹佛斯有限公司
主分类号: G01L9/00 分类号: G01L9/00;G01L9/04
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 吴敬莲
地址: 丹麦诺堡市诺*** 国省代码: 丹麦;DK
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摘要:
搜索关键词: 薄膜电路 传感器 直流电压 隔离层 惠斯通电桥形式 测量电子器件 薄膜传感器 钝化层 沉积 电源 腐蚀 应用 制造
【权利要求书】:

1.一种传感器(1),包括:

-一个膜,

-一个隔离层(3),该隔离层被安排在该膜上,

-测量电子器件,该测量电子器件包括沉积在该隔离层(3)上的一个薄膜电路(4),以及

-一个电源(14),该电源被安排成向该薄膜电路(4)供应一个准直流电压,

其中所述准直流电压包括准直流电压信号,所述准直流电压信号在高电压电平和低电压电平之间交替切换,使得当所述低电压电平被供应给所述薄膜电路的第二供应节点时,所述高电压电平被供应给所述薄膜电路的第一供应节点;在特定时间间隔,所述高电压电平与所述低电压电平是颠倒的,使得所述低电压电平被供应给所述第一供应节点并且所述高电压电平被供应给所述第二供应节点,

其中所述测量电子器件还包括切换安排,所述切换安排包括交替地打开和闭合的四个开关以将所述准直流电压信号供给至薄膜电路。

2.根据权利要求1所述的传感器(1),其中,该薄膜电路(4)是或包括一个惠斯通电桥。

3.根据权利要求1或2所述的传感器(1),其中,该隔离层(3)是由SiO2制成的。

4.根据以上权利要求中任一项所述的传感器(1),其中,该膜被安装在一个支撑结构(2)上或形成其一部分。

5.根据权利要求4所述的传感器(1),进一步包括一个导电防护层,该导电防护层被安排在该薄膜电路(4)和该支撑结构(2)之间。

6.根据以上权利要求中任一项所述的传感器(1),其中,该薄膜电路(4)是基于金属的。

7.根据以上权利要求中任一项所述的传感器(1),其中,该薄膜电路(4)是由NiCr制成的。

8.根据以上权利要求中任一项所述的传感器(1),其中,该传感器(1)是一个应变仪。

9.根据以上权利要求中任一项所述的传感器(1),其中,该传感器(1)是一个压力传感器。

10.根据以上权利要求中任一项所述的传感器(1),其中,所述切换安排(9)被安排成生成一个准直流电压信号并且向该薄膜电路(4)供应该生成的准直流电压信号。

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