[发明专利]验证设备和方法在审

专利信息
申请号: 201480032442.2 申请日: 2014-04-30
公开(公告)号: CN105264578A 公开(公告)日: 2016-01-20
发明(设计)人: 罗伯特·莱尔德·斯图尔特 申请(专利权)人: 伊诺维亚薄膜有限公司
主分类号: G07D7/128 分类号: G07D7/128
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 代理人: 王达佐;杨莘
地址: 英国坎*** 国省代码: 英国;GB
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摘要:
搜索关键词: 验证 设备 方法
【权利要求书】:

1.一种可操作为确定聚合物膜的真实性的验证设备,包括用于使所述膜的至少一部分的双折射图案成像的、基于光学的双折射率成像布置,并且其中所述设备可操作为:

将所述双折射图案的图像与真实聚合物膜的预定双折射图案的相应图像相比较;以及

基于所述比较来输出指示所述膜的真实性或其它方面的真实性信号。

2.根据权利要求1所述的设备,其中所述设备可操作为区分由气泡工艺制成的膜和由不同种工艺制成的膜。

3.根据权利要求1或2所述的设备,其中所述基于光学的双折射率成像布置包括:发射器,被定位成且可操作为使用电磁辐射来照明定位在所述设备的测量区域中的所述膜的第一侧;第一偏振器,定位在所述第一发射器和所述膜的所述第一侧之间,使得由所述第一发射器发射的电磁辐射的至少一部分从中穿过;成像装置,定位在所述膜的第二侧上,且可操作为接收来自所述发射器的透射穿过所述膜并从所述膜的所述第二侧透射的电磁辐射;第二偏振器,定位在所述膜的所述第二侧和所述成像装置之间,使得透射穿过所述膜的电磁辐射的至少一部分从中穿过,其中所述成像装置可操作为基于从所述膜的所述第二侧透射并在所述成像装置处接收的电磁辐射来输出表示经成像双折射图案的数据。

4.根据权利要求3所述的设备,其中所述成像装置可操作为将表示经成像双折射图案的所述数据输出到处理器,所述处理器可操作为将所述输出数据与表示真实聚合物膜的预定双折射图案的数据集相比较。

5.根据权利要求3或4所述的设备,其中所述发射器包括白光源。

6.根据权利要求3或4所述的设备,其中所述成像装置包括光敏阵列。

7.根据前述权利要求中的任一项所述的设备,其中所述基于光学的成像布置进一步可操作为从包括与所述膜的平面所成的非垂直角的第一角度以及第二角度和第三角度中的至少一个使所述膜的所述双折射图案成像,并且其中所述设备进一步可操作为:

将表示从所述第一角度成像的经成像双折射图案的数据与表示真实聚合物膜针对所述第一角度的预定双折射图案的数据相比较;

将表示从所述第二和第三角度中的所述至少一个成像的经成像双折射图案的数据与表示真实聚合物膜针对相应的第二和/或第三角度的预定双折射图案的数据相比较;以及

基于所述进一步的比较来输出指示所述膜的真实性或其它方面的真实性信号。

8.根据权利要求7所述的设备,其中所述第二角度包括与所述膜的平面所成的非垂直角,且所述第三角度包括与所述膜的平面所成的垂直角。

9.根据权利要求7或8所述的设备,当直接地或间接地取决于权利要求3时,其中所述成像装置进一步可操作为:接收来自所述发射器的透射穿过所述膜并以所述第一角度以及所述第二和第三角度中的至少一个从所述膜的所述第二侧透射的电磁辐射;以及输出信号,所述信号表示基于以所述第一角度以及所述第二和第三角度中的至少一个从所述膜的所述第二侧透射的电磁辐射所成像的所述双折射图案。

10.根据权利要求9所述的设备,其中所述成像装置可相对于所述膜的所述第二侧移动成定位在第一位置处,以接收来自所述发射器的透射穿过所述膜并以所述第一角度从所述膜的所述第二侧透射的电磁辐射,且可进一步移动到第二和/或第三位置,以接收来自所述发射器的透射穿过所述膜并以相应的所述第二和/或第三角度从所述膜的所述第二侧透射的电磁辐射。

11.根据权利要求9所述的设备,其进一步包括:

第二成像装置,定位在所述膜的第二侧上,且可操作为接收来自所述发射器的透射穿过所述膜并以所述第二角度从所述膜的所述第二侧透射的电磁辐射;和/或

第三成像装置,定位在所述膜的第二侧上,且可操作为接收来自所述发射器的透射穿过所述膜并以所述第三角度从所述膜的所述第二侧透射的电磁辐射;

其中:

所述第二成像装置可操作为输出信号,该信号表示基于以所述第二角度从所述膜的所述第二侧透射的电磁辐射所成像的所述双折射图案;和/或

所述第三成像装置可操作为输出信号,该信号表示基于以所述第三角度从所述膜的所述第二侧透射的电磁辐射所成像的所述双折射图案。

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