[发明专利]CMP用二氧化硅、水性分散液以及CMP用二氧化硅的制造方法

权利要求书

1.一种CMP用二氧化硅，其特征在于满足以下的(A)～(C)，

(A)BET比表面积为40m²/g以上180m²/g以下；

(B)通过氦气比重瓶法测量的颗粒密度为2.24g/cm³以上；

(C)通过TEM图像分析计算出的原始粒径的变动系数为0.40以下。

2.如权利要求1所述的CMP用二氧化硅，其特征在于，

3nm～70nm的粒径范围内的分形形状参数αmax值为2.9以上。

3.如权利要求1或2所述的CMP用二氧化硅，其特征在于，

Fe含量以Fe₂O₃换算下为0.4ppm以下。

4.如权利要求1或2所述的CMP用二氧化硅，其特征在于，

Al含量以Al₂O₃换算下为0.3ppm以下，

Ni含量为0.1ppm以下，

Cr含量为0.1ppm以下，

硼含量为1.3ppm以下，

磷含量为0.5ppm以下。

5.如权利要求3所述的CMP用二氧化硅，其特征在于，

Al含量以Al₂O₃换算下为0.3ppm以下，

Ni含量为0.1ppm以下，

Cr含量为0.1ppm以下，

硼含量为1.3ppm以下，

磷含量为0.5ppm以下。

6.如权利要求1或2所述的CMP用二氧化硅，其特征在于，由通过硅烷化合物的火焰水解反应而制造的烘制二氧化硅形成。

7.如权利要求3所述的CMP用二氧化硅，其特征在于，由通过硅烷化合物的火焰水解反应而制造的烘制二氧化硅形成。

8.如权利要求4所述的CMP用二氧化硅，其特征在于，由通过硅烷化合物的火焰水解反应而制造的烘制二氧化硅形成。

9.如权利要求5所述的CMP用二氧化硅，其特征在于，由通过硅烷化合物的火焰水解反应而制造的烘制二氧化硅形成。

10.一种水性分散液，其特征在于含有满足以下(A)～(C)的CMP用二氧化硅，

(A)BET比表面积为40m²/g以上180m²/g以下；

(B)通过氦气比重瓶法测量的颗粒密度为2.24g/cm³以上；

(C)通过TEM图像分析计算出的原始粒径的变动系数为0.40以下。

11.一种CMP用二氧化硅的制造方法，其是通过在反应器内所形成的火焰中将硅烷化合物进行水解而制造CMP用二氧化硅的方法，该CMP用二氧化硅的制造方法的特征在于，

在绝热火焰温度为1800℃以上且所述反应器内的压力为10kPaG以上的制造条件下，制造满足以下(A)～(C)的CMP用二氧化硅，

(A)BET比表面积为40m²/g以上180m²/g以下；

(B)通过氦气比重瓶法测量的颗粒密度为2.24g/cm³以上；

(C)通过TEM图像分析计算出的原始粒径的变动系数为0.40以下。

12.如权利要求11所述的CMP用二氧化硅的制造方法，其特征在于，

利用多管式燃烧器形成所述火焰，并且，通过向所述多管式燃烧器的中心管中供给所述硅烷化合物从而能够向所述火焰中供给所述硅烷化合物，进而，所述多管式燃烧器的中心管中的气体流速以标准状态换算下为50m/sec～100m/sec。