[发明专利]半导体检查用的耐热性粘合片

说明书

本发明提供一种半导体检查用的耐热性粘合片，其在加热时不会轻易发生粘合片变形或粘着剂层软化，为在加热半导体芯片的同时进行性能检查工序所使用的粘合片，由在基材上设有粘着剂层而成；所述基材在150℃下加热30分钟后的热收缩率低于1％，且60℃～150℃下的线膨胀系数为5.0×10^‑5/K以下；所述粘着剂层包含(甲基)丙烯酸共聚物、光聚合性化合物、多官能异氰酸酯硬化剂以及光聚合起始剂；对100重量的所述(甲基)丙烯酸共聚物，所述光聚合性化合物为5～200质量份，所述多官能异氰酸酯硬化剂为0.5～20质量份，所述光聚合起始剂为0.1～20质量份，且所述粘着剂层不包含增粘树脂。优选地，所述粘着剂层包含硅氧烷类接枝共聚物。

技术领域

本发明涉及一种半导体检查用的耐热性粘合片。

背景技术

半导体晶圆在形成电路之后贴合粘合片，然后进行切割(dicing)成元件小片、清洗、干燥、粘合片的延展(expanding)、自粘合片的元件小片的剥离(pickup)、安装(mounting)等各个工序。在这些工序中所使用的粘合片(dicingtape)，理想的是对切割工序至干燥工序为止的被切割为元件小片具有充分的粘着力，并且在拾取工序中粘着力可减少至粘着剂不会残留的程度。

作为粘合片，有在对紫外线及/或电子束等的活性光线具有透明度的基材上涂布藉由紫外线等进行聚合硬化反应的粘着剂层者。此粘合片是采用于切割工序后以紫外线等照射粘着剂层，使粘着剂层聚合硬化、粘着力降低之后，拾取被切断的芯片的方法。

作为此种粘合片，专利文献1以及专利文献2中揭示了例如在基材面上涂布由在分子内含有光聚合性不饱和双键的化合物(多官能低聚物)所构成的粘着剂，所述粘着剂会藉由活性光线而三维网状化。

[专利文献1]日本特开2009-245989号公报

[专利文献2]日本特开2012-248640号公报

半导体的制造工序中，按以下顺序进行加工以及性能检查。

·半导体晶圆的切割

·性能检查(常温)

·封装

·性能检查(高温以及常温)

在上述的工序中，到封装后的性能测试为止前都无法判断出在高温状态下是否有异常的芯片。因此，高温状态下有异常的所有芯片也都必须进行封装，因而增加封装成本。

若切割后的性能测试可在高温下进行，就能降低封装成本，但是，性能检查是在半导体芯片贴附于切割胶带等的粘合片的状态下进行，因此，一旦对半导体芯片进行加热，则会导致粘合片变形或粘合片过度紧贴等问题。

粘合片一旦变形，则形成于晶圆上的电极焊点与检测用探针就无法自动对位，需要较长的检查时间。此外，当变形严重时，可能会导致无法使晶圆接触检测用探针。另外，当半导体芯片的间隔较狭窄时，可能会导致芯片互相接触，造成芯片的破损或强度降低。

另外，一旦粘合片与半导体芯片过度紧贴，则即使照射紫外线等使粘着剂层硬化，粘着剂层的粘着力也不会充分降低，会造成拾取困难、粘着剂残留等的不良情况。

发明内容

本发明的发明人发现，加热所造成的粘合片的变形是起因于基材的热收缩率以及线膨胀系数，而加热所造成的粘着剂层的软化则是起因于粘着剂所含有的增粘树脂的软化。

基于此发现，本发明提供一种使用低热收缩率及低线膨胀系数的基材的粘合片。