[发明专利]等离子体处理检测用墨液组合物及等离子体处理检测指示器有效
| 申请号: | 201480031264.1 | 申请日: | 2014-05-29 |
| 公开(公告)号: | CN105308132B | 公开(公告)日: | 2017-11-10 |
| 发明(设计)人: | 大城盛作;森麻里萌;中村庆子 | 申请(专利权)人: | 株式会社樱花彩色笔 |
| 主分类号: | C09D11/033 | 分类号: | C09D11/033;C09D11/16;H05H1/00 |
| 代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司11444 | 代理人: | 龚敏,王刚 |
| 地址: | 日本国大阪府大阪*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 等离子体 处理 检测 用墨 组合 指示器 | ||
技术领域
本发明涉及等离子体处理检测用墨液组合物及使用其的等离子体处理检测指示器。另外,本说明书中的等离子体处理是指利用了通过使用等离子体产生用气体并施加交流电压、脉冲电压、高频、微波等而产生的等离子体的等离子体处理,减压等离子体及大气压等离子体这两者符合。
背景技术
医院、研究所等中使用的各种器材、器具等为了消毒及杀菌而实施灭菌处理。作为该灭菌处理之一,已知有等离子体灭菌处理(例如,非专利文献1的“3.3.1使用了低压力放电等离子体的灭菌实验”栏)。
详细而言,等离子体灭菌处理是在等离子体产生用气体气氛下产生等离子体并利用低温气体等离子体对器材、器具等进行灭菌的处理,从可以进行低温灭菌处理的方面考虑是有利的。
此外,等离子体处理不仅用于灭菌处理,还用于半导体元件的制造工序中的等离子体干式蚀刻及电子部件等被处理物的表面的等离子体洗涤。
等离子体干式蚀刻通常对配置于作为真空容器的反应腔室内的电极施加高频电力,将导入至反应腔室内的等离子体产生用气体等离子体化而对半导体晶圆以高精度进行蚀刻。此外,等离子体洗涤通过将在电子部件等被处理物的表面析出或附着的金属氧化物、有机物、毛刺(バリ)等除去来改善焊接性或软钎料的润湿性而提高粘接强度,或者改善与密封树脂的密合性或润湿性。
作为检测这些等离子体处理的终点的方法,例如在专利文献1中记载了“一种等离子体干式蚀刻的终点检测方法,其特征在于,其使用了通过使来自气体等离子体中的发光光谱在波长范围300~650nm的光电培增管所具有的波长频带下全部受光而得到的发光光谱强度曲线。”。
此外,在专利文献2中记载了“一种等离子体处理的终点检测方法,其特征在于,其包括以下工序:使用仅使某一特定波长区域选择性透射的带通滤波器中监视的来自等离子体光源的入射角度发生变化的入射角变化单元使透射波长发生变化的透射工序;利用检测器检测该透射工序中透射的分光的检测工序;通过输入该检测工序的来自检测器的检测输出及上述透射工序的入射角变化单元的角度输出,利用具备波长转换单元、输出补正单元的演算输出装置对反应中和反应前进行比较演算,在输出装置中输出等离子体处理的终点的演算输出工序,其中,所述波长转换单元是按照达到即使入射角度发生变化而透射波长的检测输出也不会使入射角度发生变化的情况下得到的值的方式进行的。”。
这些以往的终点检测方法需要发光光谱的解析装置、演算输出装置等装置,并且难以对经等离子体处理的被处理物各自进行个别检测。因而,期望开发不需要大型的装置的简便的方法,并且可以对被处理物各自个别检测等离子体处理的完成的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平6-069165号公报
专利文献2:日本特开2004-146738号公报
非专利文献
非专利文献1:Journal of Plasma and Fusion Research Vol.83,No.7July 2007
发明内容
发明所要解决的课题
本发明的主要目的在于提供不需要大型的装置、能够对被处理物各自个别检测等离子体处理的完成的墨液组合物及使用其的指示器。
用于解决课题的方案
本发明人为了达成上述目的反复进行了深入研究,结果发现,通过采用特定组成的墨液组合物可以达成上述目的,从而完成本发明。
即,本发明涉及下述的等离子体处理检测用墨液组合物及等离子体处理检测指示器。
1.一种墨液组合物,其是含有色素及非离子系表面活性剂的等离子体处理检测用墨液组合物,
(1)上述色素为选自由蒽醌系色素、次甲基系色素、偶氮系色素、酞菁系色素、三苯基甲烷系色素及呫吨系色素组成的组中的至少1种,
(2)上述非离子系表面活性剂为通式(I)~(V)所示的非离子系表面活性剂中的至少1种,
[化学式1]
(I)R1-X-(AO)n-R2
(V)R1-X-(AO)p-R2-C≡C-R3=X-(AO)q-R4
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