[发明专利]用于光耦合器的系统和方法无效
| 申请号: | 201480029979.3 | 申请日: | 2014-05-30 |
| 公开(公告)号: | CN105264416A | 公开(公告)日: | 2016-01-20 |
| 发明(设计)人: | 布瑞斯·道瑞;温妮·耶 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
| 主分类号: | G02B6/35 | 分类号: | G02B6/35 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 耦合器 系统 方法 | ||
本发明要求2014年5月30日递交的发明名称为“用于光耦合器的系统和方法(SystemandMethodforanOpticalCoupler)”的第14/291,957号美国非临时申请案以及2013年5月31日递交的发明名称为“用于对偏振和波长不敏感的定向耦合器的设备和方法(DeviceandMethodforaPolarizationandWavelengthInsensitiveDirectionalCoupler)”的第61/829,704号美国临时申请案的在先申请优先权,所述在先申请的内容以引入的方式并入本文本中。
技术领域
本发明涉及一种用于光子学的系统和方法,且具体来说,涉及一种用于光耦合器的系统和方法。
背景技术
光包交换(OPS)是用以处理因特网的指数增长的有前景的技术。期望光子元件在具有低偏振串扰的较大波长范围上操作。例如定向耦合器等元件可以用于OPS中的光子交换结构中。
光设备可以集成在包含光波导的光子集成电路(PIC)中。光波导是包含介电材料的板条、条带或圆柱体的光导管,其由具有较低折射率的另一介电材料包围。光通过全内反射沿着较高折射率材料传播并且局限于所述较高折射率材料。在PIC中,芯可以是由较低折射率材料包围的硅,较低折射率材料例如二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和/或空气。所述波导可以是单模或多模波导。在实例中,PIC以例如1550nm或1310nm的电信波带操作。光可以耦合到光波导中、光波导之外或光波导之间。在PIC中,多个光子功能集成在绝缘体上硅(SOI)等衬底上。PIC用于光通信并且用于其它应用,例如,生物医学应用和光子计算。PIC可以提供增加的功能性,同时是紧凑的且相较于离散光设备实现更高性能。
发明内容
一种实施例光定向耦合器包含用于接收输入光信号的输入端子和光学地耦合到输入端子的第一耦合器,其中第一耦合器具有第一耦合长度,并且其中第一耦合器用于将输入光信号的第一部分耦合到第一光支线且将输入光信号的第二光部分耦合到第二光支线。所述光定向耦合器还包含:第一光支线,其中所述第一光支线用于对光信号的第一部分进行移相以产生第一相移信号;以及第二光支线,其中所述第二光支线用于对光信号的第二部分进行移相以产生第二相移信号,并且其中第一相移信号具有相对于第二相移信号的相位差。另外,所述光定向耦合器包含第二耦合器,其用于接收第一相移信号和第二相移信号并且用于将第一输出光信号输出到第一输出端,其中第二耦合器具有第二耦合长度,其中对于在跨越40nm的波长范围上的横电(TE)偏振光和横磁(TM)偏振两者,输入光信号对第二输出端的串扰低于-15dB。
一种实施例光开关包含:第一定向耦合器,其用于接收输入光信号且产生输入光信号的第一部分和输入光信号的第二部分,其中对于在跨越40nm的波长范围上的横电(TE)模式和横磁(TM)模式两者,输入光信号的第一定向耦合器对光信号的第二部分的透射低于-15dB;以及第一支线,其用于接收输入光信号的第一部分且产生第一经移相光信号。所述光开关还包含:第二支线,其用于接收输入光信号的第二部分且产生第二经移相光信号;以及第二定向耦合器,其用于接收第一经移相光信号和第二经移相光信号。
一种设计定向耦合器的实施例方法包含:计算定向耦合器的横电(TE)耦合比误差函数作为第一耦合长度、第二耦合长度和相移的第一函数;并且计算定向耦合器的横磁(TM)耦合比误差函数作为第一耦合长度、第二耦合长度和相移的第二函数。所述方法还包含:将在波长范围上的TE耦合比误差函数和TM耦合比误差函数减到最小以产生所选第一耦合长度、所选第二耦合长度和所选相移;并且制造具有所选第一耦合长度、所选第二耦合长度和所选相移的定向耦合器。
前文已相当广泛地概述了本发明的实施例的特征,以便可以更好地理解接下来的本发明的详细说明。下文中将描述本发明的实施例的另外的特征以及优点,这些另外的特征以及优点形成本发明的权利要求书的主题。所属领域的技术人员应了解,所公开的概念及具体实施例可以容易地用作修改或设计用于实现本发明的相同目的的其它结构或过程的基础。所属领域的技术人员还应意识到,此类等效构造不脱离如在所附权利要求书中所阐述的本发明的精神和范围。
附图说明
为了更完整地理解本发明及其优点,现在参考下文结合附图进行的描述,其中:
图1图示实施例光波导;
图2图示马赫-曾德尔干涉仪;
图3图示用于横电(TE)偏振光的对波长不敏感的马赫-曾德尔干涉仪;
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