[发明专利]用于纯化(氢)卤烃组合物的方法

权利要求书

1.一种用于处理包含1,1-二氟乙烷和一种或更多种不期望的含卤代烃杂质的组合物以减小至少一种不期望的含卤代烃杂质的浓度的方法，其中所述不期望的含卤代烃杂质包含单卤甲烷、双卤甲烷或三卤甲烷中的一种或更多种，

其中所述方法包括使所述组合物与包含碳分子筛的吸附剂接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述接触步骤至少部分地在低于200℃的温度下进行。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述接触步骤至少部分地在5℃至200℃的温度下进行。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述接触步骤至少部分地在20℃至100℃的温度下进行。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述接触步骤在0.1MPa至饱和压力的压力下进行。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述接触步骤之前的吸附剂处理步骤。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述吸附剂处理步骤包括热处理步骤。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述热处理步骤包括将所述吸附剂加热到至少150℃的最高温度。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述热处理步骤包括将所述吸附剂以1℃/分钟至100℃/分钟的速率加热至所述最高温度。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述热处理步骤包括将所述吸附剂以10℃/分钟至60℃/分钟的速率加热至所述最高温度。

11.根据权利要求8所述的方法，其中所述热处理步骤包括将所述吸附剂保持在所述最高温度1秒至1小时。

12.根据权利要求6所述的方法，其中所述吸附剂处理步骤包括暴露步骤，所述暴露步骤包括将所述吸附剂暴露于一种或更多种惰性气体。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述惰性气体选自N₂或一种或更多种稀有气体。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述暴露步骤在所述热处理步骤之前、期间或之后进行。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述吸附剂的平均孔径小于

16.根据权利要求1所述的方法，其中所述吸附剂的平均孔径为至

17.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法除去至少50重量％的所述卤代烃杂质。

18.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法除去至少90重量％的所述卤代烃杂质。

19.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法除去至少98重量％的所述卤代烃杂质。

20.根据权利要求17所述的方法，其中所述方法使所述卤代烃杂质的浓度减小至气相色谱法的检测限处或气相色谱法的检测限以下的水平。

21.根据权利要求1所述的方法，其中所述吸附剂在使用之前干燥。

22.根据权利要求1所述的方法，其中所述吸附剂的水分含量小于1.5重量％。

23.根据权利要求1所述的方法，其通过使所述待处理的组合物循环通过包含所述吸附剂的精处理床来进行。

24.根据权利要求23所述的方法，其中所述精处理床包括填充床或流化床。

25.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述吸附剂与所述氢氟烃组合物接触之后再生所述吸附剂的步骤。

26.根据权利要求25所述的方法，其中所述再生步骤包括使所述吸附剂与加热的氮气流接触，和/或加热所述吸附剂同时使氮气从其上通过。

27.根据权利要求1所述的方法，其中所述待处理的组合物与所述吸附剂接触多于一次。

28.根据权利要求27所述的方法，其中所述组合物与一种类型的吸附剂进行重复接触或与多于一种类型的吸附剂进行多次接触。

29.根据权利要求1所述的方法，还包括一个或更多个另外的纯化步骤，其可以在所述接触步骤之前和/或之后进行。