[发明专利]用于处理半导体装置的方法

权利要求书

1.一种处理用于测序系统的传感器阵列的方法，所述传感器阵列包括多个场效应晶体管传感器，所述多个场效应晶体管传感器的传感器具有在所述传感器阵列的表面处暴露的传感器垫，所述方法包含：

使至少所述传感器垫暴露于包含磺酸和有机溶剂的洗涤溶液；以及

从所述传感器垫冲洗所述洗涤溶液。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述磺酸包括烷基磺酸、烷基芳基磺酸或其组合。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述烷基芳基磺酸包括具有1到20个碳的烷基。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述烷基具有9到18个碳。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述烷基具有10到14个碳。

6.根据权利要求3所述的方法，其中所述烷基具有1到6个碳。

7.一种处理用于测序的传感器阵列的方法，所述传感器阵列包括多个场效应晶体管传感器，所述多个场效应晶体管传感器的传感器包括传感器垫，井结构限定与所述传感器阵列对应的井阵列，所述井阵列的井暴露所述传感器垫，盖子附着到所述传感器阵列和所述井结构上面并且包括流体端口，在所述盖子与所述井结构之间限定空间，所述方法包括：

通过所述流体端口向所述空间中施加洗涤溶液并且等待30秒到30分钟的第一时间段，所述洗涤溶液包括磺酸和有机溶剂；

通过所述流体端口向所述空间中施加碱性溶液并且等待20秒到15分钟的第二时间段；以及

通过所述流体端口施加冲洗溶液。

8.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括重复施加所述洗涤溶液、施加所述碱性溶液以及施加所述冲洗溶液。

9.一种处理用于测序的传感器阵列的方法，所述传感器阵列包括多个场效应晶体管传感器，所述多个场效应晶体管传感器的传感器包括传感器垫，井结构限定与所述传感器阵列对应的井阵列，所述井阵列的井暴露所述传感器垫，所述方法包括：

向至少所述传感器垫施加洗涤溶液并且等待30秒到30分钟的第一时间段，所述洗涤溶液包括磺酸和有机溶剂；

用低沸点有机溶剂冲洗至少所述传感器垫；以及

干燥所述传感器阵列。

10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括在用所述低沸点有机溶剂冲洗之后并且在干燥之前用水冲洗。

11.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括将盖子附着在所述传感器阵列和所述井阵列上面，所述盖子包括流体端口，在所述盖子与所述井阵列之间限定与所述流体端口流体连通的空间。

12.根据权利要求1-11中任一项所述的方法，其中所述磺酸包括甲烷磺酸、乙烷磺酸、丙烷磺酸、丁烷磺酸或其组合。

13.根据权利要求1-11中任一项所述的方法，其中所述磺酸包括十二烷基苯磺酸。

14.根据权利要求1-11中任一项所述的方法，其中所述磺酸包括对甲苯磺酸。

15.根据权利要求1-11中任一项所述的方法，其中所述洗涤溶液包含10mM到500mM的所述酸。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述洗涤溶液包含50mM到250mM的所述酸。

17.根据权利要求1-11中任一项所述的方法，其中所述洗涤溶液包含0.5重量％到25重量％的所述酸。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述洗涤溶液包含1重量％到10重量％的所述酸。