[发明专利]在存储器中共享支持电路

权利要求书

1.一种存储器装置，其包括：

存储器群组，其中所述存储器群组包括：

数个漏极选择装置；以及

数个存储器单元串，其经配置以选择性地耦合到共同源极，其中所述群组的所述数个串中的每一者耦合到所述数个漏极选择装置中的相应多个漏极选择装置；以及

支持电路，其对应于所述群组，其中对应于所述群组的所述支持电路经配置以选择所述数个串中的个别串且其中所述支持电路包括：

数个选择晶体管，其耦合到所述数个漏极选择装置以便于选择个别存储器单元串，其中选择晶体管的数目小于漏极选择装置的数目。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述支持电路进一步包括耦合到所述数个漏极选择装置的数个取消选择晶体管，其中取消选择晶体管的数目小于漏极选择装置的所述数目。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述数个漏极选择装置包括数个上漏极选择装置及数个下漏极选择装置，其中所述群组的所述数个串中的每一者耦合到所述数个上漏极选择装置的相应上漏极选择装置及所述数个下漏极选择装置的相应下漏极选择装置。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中所述数个选择晶体管包括数个上漏极选择栅极选择晶体管及数个下漏极选择栅极选择晶体管。

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中上漏极选择栅极选择晶体管的数目大于下漏极选择栅极选择晶体管的数目。

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中上漏极选择栅极选择晶体管的所述数目是下漏极选择栅极选择晶体管的所述数目的两倍。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述数个选择晶体管中的每一者经配置以选择性地提供数个漏极选择栅极控制信号中的相应一者，其中漏极选择栅极控制信号的所述数目小于所述群组的漏极选择装置的所述数目。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器群组包括存储器块。

9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器群组包括至少两个存储器块，其中所述数个选择晶体管的个别选择晶体管耦合到：

耦合到所述至少两个块的第一块中的串的漏极选择装置；以及

耦合到所述至少两个块的第二块中的串的漏极选择装置。

10.一种存储器装置，其包括：

第一存储器单元串，其耦合到多个漏极选择装置；以及

第二存储器单元串，其耦合到多个漏极选择装置，

其中耦合到所述第一存储器单元串的所述多个漏极选择装置中的至少一者与耦合到所述第二存储器单元串的所述多个漏极选择装置中的至少一者共享共同支持电路，其中所述共同支持电路包括多个选择晶体管，其中所述多个选择晶体管的每一者耦合到所述多个漏极选择装置中的多个漏极选择装置以便于选择所述第一存储器单元串或所述第二存储器单元串，且其中所述选择晶体管的数目小于耦合到所述第一存储器单元串和所述第二存储器单元串的全部漏极选择装置的总数目。

11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中所述共同支持电路进一步包括多个取消选择晶体管。

12.根据权利要求10所述的存储器装置，其中耦合到所述第一存储器单元串的所述多个漏极选择装置中的至少一者与耦合到所述第二存储器单元串的所述多个漏极选择装置中的至少一者共享共同支持电路包括：耦合到所述第一存储器单元串的上漏极选择装置与耦合到所述第二存储器单元串的上漏极选择装置共享所述共同支持电路。

13.根据权利要求12所述的存储器装置，其中耦合到所述第一存储器单元串的所述多个漏极选择装置进一步包括下漏极选择装置，且其中所述存储器装置进一步包括耦合到上漏极选择装置及下漏极选择装置的第三存储器单元串，其中耦合到所述第三存储器单元串的所述下漏极选择装置与耦合到所述第一存储器单元串的所述下漏极选择装置共享共同支持电路。

14.根据权利要求13所述的存储器装置，其中耦合到所述第二存储器单元串的所述多个漏极选择装置进一步包括下漏极选择装置，且其中耦合到所述第二存储器单元串的所述下漏极选择装置不与耦合到所述第一存储器单元串的所述下漏极选择装置共享共同支持电路。