[发明专利]防护膜组件及含有其的EUV曝光装置

说明书

本发明的课题在于提供一种EUV透过性高且不易受到由热引起的损伤，进一步强度高的防护膜组件。为了达成所述课题而提供如下防护膜组件，其包括：波长550nm的光的折射率n为1.9～5.0的防护膜，以及贴附了所述防护膜的防护膜组件框。所述防护膜在组成中包含30摩尔％～100摩尔％的碳及0摩尔％～30摩尔％的氢。所述防护膜的拉曼光谱中的2D带与G带的强度比(2D带的强度/G带的强度)为1以下，或者2D带与G带的强度分别为0。

技术领域

本发明涉及一种防护膜组件(pellicle)及含有其的EUV曝光装置。

背景技术

半导体器件的高集成化以及微细化正逐年加速。目前，利用受激准分子曝光而形成线宽45nm左右的图案。然而，近年来，伴随半导体的进一步微细化，而要求形成线宽32nm以下的图案。就现有的受激准分子曝光而言，难以进行这样的微细加工。因此，正研究将曝光光替代为更短波长的EUV(极紫外光，Extreme Ultra Violet)。

EUV具有容易被一切物质吸收的特性。因此，EUV光刻法中，利用反射光学系统进行曝光。具体来说，利用反映了曝光图案的原版使EUV反射，从而将抗蚀剂曝光。此时，如果原版上附着异物，则EUV会被异物吸收，或EUV发生散射，因而无法曝光为所期望的图案。因此，研究利用防护膜组件来保护原版的EUV照射面。

另一方面，EUV光刻中，由EUV光源产生的飞散粒子(碎片(debris))会污染曝光装置已为人所知。如果飞散粒子(碎片)附着于光学系统，或削去EUV反射面，则EUV的照射效率会下降。而且，如果飞散粒子(碎片)附着于原版，则会如前述那样，抗蚀剂无法被曝光为所期望的图案。因此，也研究在EUV照射装置内设置用于捕捉飞散粒子(碎片)的过滤窗(filter window)。

对于所述防护膜、过滤窗，要求(1)对于EUV具有高透过性，(2)不会因EUV照射而分解、变形。作为满足这样的要求的防护膜、过滤器，提出有包含单晶硅的膜(专利文献1以及专利文献2)、叠层于金属网眼上的氮化铝膜(专利文献3)、石墨烯膜(专利文献4)等。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-256434号公报

专利文献2：日本特开2009-116284号公报

专利文献3：日本特开2005-43895号公报

专利文献4：国际公开第2011/160861号公报

发明内容

发明所要解决的课题

如果对防护膜照射EUV，则其能量的一部分会被防护膜所吸收。而且，被膜吸收的EUV的能量经由各种缓和过程后转换为热。因此，EUV曝光时，防护膜的温度上升。因此，也对防护膜要求高散热性、耐热性。然而，所述单晶硅膜的散热性低，进一步熔点也低。因此，存在EUV照射时膜容易受损的问题。此外，单晶硅膜也具有制造工序烦杂且价格高的缺点。

而且，因专利文献3的氮化铝膜的EUV透过率低，因此不适合于要求高EUV透过率的光刻用途中。而且，专利文献4的石墨烯膜为尺寸小的(通常为100nm～1000nm程度)结晶的集合体。因此，膜脆，且膜的耐久性不充分。而且，即使将这样的石墨烯多个叠层，也难以获得充分的强度。

本发明鉴于这样的情况而提出。本发明的目的在于提供一种具有EUV透过性以及耐热性高，进一步耐久性也优异的膜的防护膜组件。

用于解决课题的方法

即，本发明第一方面涉及以下的防护膜组件。