[发明专利]电磁场限制

权利要求书

1.一种磁通量耦合设备，其包括：

用于产生或接收磁耦合通量的线圈；及

漏通量元件通过相对低的磁导率区与所述线圈分开，且定位成独立于耦合通量而提供用于漏通量的受控路径；

其中，所述漏通量元件包括相对高的磁导率的有损磁性材料，所述材料从时变磁场吸收能量，由此使漏通量衰减。

2.根据权利要求1所述的磁通量耦合设备，其中所述相对低的磁导率区包括所述线圈与所述漏通量元件之间的空间。

3.根据权利要求1或2所述的磁通量耦合设备，其中所述漏通量元件被建构或定位成在使用中实质上防止磁饱和。

4.根据权利要求1或2所述的磁通量耦合设备，其中所述漏通量元件包括具有相对高的磁导率的材料的多个离散件。

5.根据权利要求4所述的磁通量耦合设备，其中所述具有相对高的磁导率的材料的所述多个离散件能够接合在一起，或能够放置成彼此邻近。

6.根据权利要求1或2所述的磁通量耦合设备，其中所述漏通量元件实质上包围所述线圈的周边。

7.根据权利要求1或2所述的磁通量耦合设备，其中所述漏通量元件实质上仅在所述线圈的两侧上。

8.根据权利要求1或2所述的磁通量耦合设备，其中所述磁通量耦合设备包含磁导性部件，所述磁导性部件与所述线圈磁性相关联以促进产生或接收耦合通量。

9.根据权利要求1所述的磁通量耦合设备，其中所述漏通量元件能够由具有磁滞的材料形成，使得所述漏通量元件中的磁通量失去能量。

10.根据权利要求9所述的磁通量耦合设备，其中所述材料具有高矫顽磁性及高顽磁性中的至少一者。

11.根据权利要求1或2所述的磁通量耦合设备，其中所述漏通量元件能够在其中出现漏通量的区之间延伸及/或能够布置成拦截其中定位所述设备的环境中的通量的泄漏路径。

12.根据权利要求1或2所述的磁通量耦合设备，其中所述漏通量元件是相对非导电的。

13.根据权利要求1或2所述的磁通量耦合设备，其中所述漏通量元件具柔性。

14.根据权利要求1所述的磁通量耦合设备，其中所述漏通量元件包括：

布置在第一层中的高磁导率磁性材料；及

布置在第二层中的导电或低磁导率材料。

15.根据权利要求14所述的磁通量耦合设备，其中所述漏通量元件进一步包括：

布置在第三层中的高磁导率磁性材料；且

其中所述导电或低磁导率层经布置是所述第一层与第三层之间的中间层。

16.根据权利要求15所述的磁通量耦合设备，其中布置在所述第一层中的高磁导率磁性材料或布置在所述第三层中的高磁导率磁性材料中的至少一者从时变磁场吸收能量。

17.根据权利要求15所述的磁通量耦合设备，其中布置在所述第一层中的高磁导率磁性材料和布置在所述第三层中的高磁导率磁性材料具有不同的磁导率。

18.根据权利要求14所述的磁通量耦合设备，其中所述高磁导率层中的至少一层具有足以防止所述层在使用中变成磁饱和的体积或厚度。

19.根据权利要求14所述的磁通量耦合设备，其中所述低磁导率层具有小于所需的吸收频率的集肤深度的级别的厚度。