[发明专利]磁铁装置及磁共振成像装置

说明书

磁铁装置(2)具备：对置地配置的一对大致圆盘状的磁极(4U)；侧视呈C字或U字形状且该C字或U字形状的两端部与磁极(4U)接近地配置的磁轭(3)，磁轭(3)具有与磁极(4U)接近地对置的磁轭侧对置部(15U)，磁轭侧对置部(15U)具有：包含磁轭(3)的铅垂对称面(α)的一部分的中央带区域(15b)；从铅垂对称面(α)离开而位于中央带区域(15b)两侧的两侧带区域(15c)，在磁轭侧对置部(15U)的从与磁极(4U)接近地对置的磁轭侧对置表面(15a)起的高度(W3)上，中央带区域(15b、W3b)比两侧带区域(15c、W3c)高。磁轭侧对置部(15U)的从磁轭侧对置表面(15a)起的高度(W3)随着从铅垂对称面(α)远离而广义单调减小并且其最大值和最小值不同。

技术领域

本发明涉及磁铁装置和具备该磁铁装置的磁共振成像装置(以下称为MRI(Magnetic Resonance Imaging：磁共振成像)装置)。

背景技术

MRI装置将被检体置于形成有均匀的静磁场的摄像空间，利用向该被检体照射高频脉冲时产生的核磁共振现象，获得表征被检体的物理、化学特性的图像。并且，该图像主要用于医疗。MRI装置从其静磁场方向来看大致分为该方向朝向水平方向的水平型和朝向铅垂方向的垂直型。在前者即水平型MRI装置中，摄像空间处于在水平方向上贯通的隧道内，被检者进入该隧道内接受检查。因此，被检者有时会有压迫感。而后者即垂直型MRI装置是在上下对置地配置的一对磁极之间形成摄像空间而被检者进入该磁极间的构造，因此被检者能够获得敞开感。因此，垂直型MRI装置也被称为敞开型MRI装置。

为了发挥垂直型MRI装置的特长，使被检者周围的空间较大程度地敞开，与一对磁极连接的磁轭的形状采用C字或U字形状(例如参照专利文献1等)。本说明书中，C字或U字形状是指将大致圆环形状的一部分切除而敞开的形状。但是在采用C字或U字形状的磁轭时，从摄像空间看的包含磁轭的磁性体的分布会发生偏向，因此摄像空间内的静磁场容易形成非轴对称，摄像空间中的静磁场的磁场强度容易变得不均匀。为此，在专利文献1中采用使C字或U字形状的磁轭的在水平方向上延设的上下一对的水平部的厚度向前端侧逐渐变薄的构造，从而对摄像区域上的C字或U字形状的开口侧和柱侧的磁场强度进行调节。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005－168772号公报

发明内容

发明所要解决的课题

垂直型MRI装置具备磁铁装置，用以在摄像空间中产生均匀的静磁场。并且，在该磁铁装置中采用永久磁铁或超导线圈。通常，在摄像空间中所需磁场强度小于0.5T则采用永久磁铁，而0.5T以上则采用超导线圈。

并且，作为MRI装置用磁铁装置的重要参数，除了上述磁场强度和上述磁场均匀度之外还有漏磁场扩散区域的大小。漏磁场扩散区域的大小尺度一般采用磁场强度衰减至0.5mT所需的空间大小。需要将漏磁场抑制为使该空间大小比设置MRI装置的房间小的程度。并且，如果摄像空间的磁场强度为1.0T以下，则在该程度的漏磁场的抑制中能够通过仅配置铁等的磁性体来进行。而当磁场强度超过1T时，则在仅配置磁性体来抑制漏磁场时需要数十吨的磁性体，配置磁性体来抑制漏磁场并不实用。该情况下，能够采用被称为屏蔽线圈的超导线圈来抑制漏磁场。

总结上述内容，在摄像空间的磁场强度为0.5T以下范围内的垂直型MRI装置中，对磁极采用永久磁铁来生成静磁场，并采用磁性体来抑制漏磁场。作为磁性体，具体而言，能够采用铁制的磁轭。并且，在0.5T以上1.0T以下的范围内的垂直型MRI装置中，采用与磁性体磁极不同的超导线圈来生成静磁场，并采用与磁极磁性体不同的磁性体来抑制漏磁场。

并且，在专利文献1中，采用超导线圈和磁性体即空隙少的连续的铁制磁轭，因此能够抑制漏磁场并生成高磁场强度的静磁场。另外，使C字或U字形状的磁轭的水平部的厚度向前端侧逐渐变薄，从而减轻磁场的非轴对称性。