[发明专利]振动装置有效
| 申请号： | 201480026840.3 | 申请日： | 2014-05-01 |
| 公开（公告）号： | CN105210294B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 西村俊雄;梅田圭一;长谷贵志;竹山佳介;岸武彦;山田宏 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H03H9/24 | 分类号： | H03H9/24;H03H9/17 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 舒艳君,李洋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 振动 装置 | ||
1.一种振动装置，该振动装置在俯视的情况下，具有具备长边和短边的矩形板状的形状，并在所述短边方向伸缩振动，
包含由简并半导体构成的Si层、氧化硅层、压电体层、以及对所述压电体层施加电压的第一、第二电极，在将所述Si层的厚度的总和设为T1、将所述氧化硅层的厚度的总和设为T2、将未设置有所述氧化硅层的情况下的所述振动装置的频率温度系数TCF设为x时，T2/(T1+T2)处于(-0.0003x2-0.0256x+0.0008)±0.05的范围内，所述x的单位是ppm/K。
2.根据权利要求1所述的振动装置，其中，
所述Si层掺杂有n型掺杂剂。
3.根据权利要求2所述的振动装置，其中，
所述掺杂剂是磷(P)。
4.根据权利要求1所述的振动装置，其中，
所述氧化硅层层叠于所述Si层的一个主面。
5.根据权利要求1所述的振动装置，其中，
在所述压电体层的一个主面设置有所述第一电极，在所述压电体层的另一个主面设置有所述第二电极。
6.根据权利要求1所述的振动装置，其中，
所述Si层兼作所述第二电极。
7.根据权利要求1所述的振动装置，其中，
所述氧化硅层形成于所述Si层的两面。
8.一种振动装置，该振动装置具有正方形板状的形状，在与正方形板平行的面内各边伸缩振动，
包含由简并半导体构成的Si层、氧化硅层、压电体层、对所述压电体层施加电压的第一、第二电极，在将所述Si层的厚度的总和设为T1、将所述氧化硅层的厚度的总和设为T2、将未设置有所述氧化硅层的情况下的所述振动装置的频率温度系数TCF设为x时，T2/(T1+T2)处于(-0.0003x2-0.0228x+0.0024)±0.05的范围内，所述x的单位是ppm/K。
9.根据权利要求8所述的振动装置，其中，
所述Si层掺杂有n型掺杂剂。
10.根据权利要求9所述的振动装置，其中，
所述掺杂剂是磷(P)。
11.根据权利要求8所述的振动装置，其中，
所述氧化硅层层叠于所述Si层的一个主面。
12.根据权利要求8所述的振动装置，其中，
在所述压电体层的一个主面设置有所述第一电极，在所述压电体层的另一个主面设置有所述第二电极。
13.根据权利要求8所述的振动装置，其中，
所述Si层兼作所述第二电极。
14.根据权利要求8所述的振动装置，其中，
所述氧化硅层形成于所述Si层的两面。
15.一种振动装置，该振动装置在俯视的情况下，具有具备长边和短边的矩形板状的形状，并在所述长边方向伸缩振动，
包含由简并半导体构成的Si层、氧化硅层、压电体层、以及对所述压电体层施加电压的第一、第二电极，在将所述Si层的厚度的总和设为T1、将所述氧化硅层的厚度的总和设为T2、将未设置有所述氧化硅层的情况下的所述振动装置的频率温度系数TCF设为x时，T2/(T1+T2)处于(-0.0003x2-0.0250x+0.0215)±0.05的范围内，所述x的单位是ppm/K。
16.根据权利要求15所述的振动装置，其中，
所述Si层掺杂有n型掺杂剂。
17.根据权利要求16所述的振动装置，其中，
所述掺杂剂是磷(P)。
18.根据权利要求15所述的振动装置，其中，
所述氧化硅层层叠于所述Si层的一个主面。
19.根据权利要求15所述的振动装置，其中，
在所述压电体层的一个主面设置有所述第一电极，在所述压电体层的另一个主面设置有所述第二电极。
20.根据权利要求15所述的振动装置，其中，
所述Si层兼作所述第二电极。
21.根据权利要求15所述的振动装置，其中，
所述氧化硅层形成于所述Si层的两面。
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