[发明专利]管理装置、衬底处理系统、装置信息更新方法及存储介质有效
申请号: | 201480026651.6 | 申请日: | 2014-05-20 |
公开(公告)号: | CN105247657B | 公开(公告)日: | 2019-04-26 |
发明(设计)人: | 越卷寿朗;浅井一秀;清水英人;屋敷佳代子;山本一良;牧野修久 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;G05B19/418 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 管理 装置 衬底 处理 系统 信息 更新 方法 存储 介质 | ||
将与具有用于处理衬底的装置信息的衬底处理装置连接的管理装置构成为具有:设定部,设定所述装置信息中的成为所述装置信息的基准的基准装置信息;操作显示部,基于由所述设定部设定的所述基准装置信息,分别对提取从所述衬底处理装置获取的获取装置信息和所述基准装置信息之间的差异而得到的差异部和包含所述基准装置信息在内的所述装置信息的内容进行显示;和控制部,进行如下控制:当从所述操作显示部接收所述获取装置信息和所述基准装置信息之间的差异部的修正指示时,基于所述修正指示,修正所述获取装置信息并创建修正装置信息,并将该修正装置信息向所述衬底处理装置发送。
技术领域
本发明涉及对于处理晶圆等衬底的衬底处理装置所具有的装置信息进行管理的管理装置、具有该管理装置和衬底处理装置的衬底处理系统、上述衬底处理装置所具有的装置信息的更新方法及存储介质,其中,装置信息是指,成膜配方(recipe)等的存储在文件中的信息。上述衬底处理装置用于对例如嵌入有半导体集成电路(以下称为IC)的半导体衬底(例如半导体晶圆)进行成膜等的处理。
背景技术
在大规模的半导体制造工厂(以下称为工厂)中,导入了用于对由多个衬底处理装置构成的衬底处理装置组进行集中管理的管理装置,在管理装置中,能够进行该管理装置担任的各衬底处理装置的生产状况的监视、生产历史记录和障碍历史记录的积累及参考等。管理装置和各衬底处理装置通过能够高速通信的LAN等的网络来连接。而且,各衬底处理装置分别具有用于进行衬底处理的衬底处理配方,基于自身所具有的衬底处理配方进行衬底处理。
然而,由于在多个衬底处理装置中并行地进行相同内容的衬底处理,在多个衬底处理装置中,进行相同内容的衬底处理的相同衬底处理装置例如进行相同成膜处理的相同成膜处理装置包含有多个。这样的相同衬底处理装置的衬底处理配方原本是相同内容,但有时在反复进行衬底处理的过程中,在某个衬底处理装置中改善了衬底处理配方,例如变更了衬底处理配方的参数设定值(例如衬底处理室的温度设定值)。而且,在其结果良好的情况下,反应给其他的相同衬底处理装置。
在这样的情况下,对已改善的衬底处理配方文件和其他的衬底处理装置所具有的多个衬底处理配方文件进行比较,提取并输出差异部分的参数,基于该输出的差异部分的参数,对其他的衬底处理装置的衬底处理配方文件进行修正。
使用图9说明背景技术的文件比较更新处理。图9是背景技术的文件比较更新处理流程图。在该例中,衬底处理装置A具有恰当的文件。然后,在管理装置中,比较其他的多个衬底处理装置(衬底处理装置B等)所具有的文件是否与衬底处理装置A的恰当的文件一致,在存在差异的情况下,以对照衬底处理装置A的文件的方式来修正衬底处理装置B等的文件。衬底处理装置A和衬底处理装置B等设置在无尘室内,通过LAN等的网络与设置在办公室内的管理装置来连接。
首先,在管理装置中,获取衬底处理装置A的文件(图9的步骤S61),获取衬底处理装置B的文件(步骤S62),对所获取的两个文件进行比较(步骤S63)。比较的结果为(步骤S64),在两个文件间不存在差异的情况下,结束处理。在两个文件间存在差异的情况下,输出比较结果(例如CSV输出),或者操作者记录差异部分(步骤S65)。
接着,操作者从办公室向无尘室内移动(步骤S66),在衬底处理装置B中,基于比较结果输出或记录,修正并更新文件(步骤S67)。接着,操作者从无尘室内向办公室移动(步骤S68),确认是否准确地进行了文件更新。在没有准确地进行文件更新的情况下,再次向无尘室内移动,进行文件的修正。在准确地进行了文件更新的情况下,返回至步骤S62,进行下一衬底处理装置例如衬底处理装置C的文件的比较和修正。
像这样,在背景技术中,在管理装置中,能够进行两个文件间的比较,但不能进行3个以上的文件间的同时比较。由此,在比较对象的衬底处理装置为3台以上时,文件的更新花费大量时间,导致不能开始正式的衬底处理,使装置的运转率降低。
发明内容
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造