[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

第1导电型的第1半导体区域；

第2导电型的第2半导体区域，其配置于所述第1半导体区域的上方；

第1导电型的第3半导体区域，其配置于所述第2半导体区域的上方；

第2导电型的第4半导体区域，其配置于所述第3半导体区域的上方；

绝缘膜，其配置于槽的内壁上，所述槽从所述第4半导体区域的上表面起延伸并贯通所述第4半导体区域和所述第3半导体区域而到达所述第2半导体区域；

控制电极，其在所述槽的侧面被配置于所述绝缘膜上，并与所述第3半导体区域相对；

第1主电极，其与所述第1半导体区域电连接；

第2主电极，其与所述第4半导体区域电连接；以及

底面电极，其在所述槽的底面被配置于所述绝缘膜的上方，并且所述底面电极被配置为与所述控制电极分离，

在俯视时，所述槽的延伸方向上的长度比所述槽的宽度大，并且，所述槽的宽度比彼此相邻的所述槽的间隔宽，

所述底面电极具有主体部和连接部，所述主体部配置于所述槽的底面，所述连接部将该主体部与所述第2主电极电连接，

所述连接部与所述主体部的延伸方向上的端部侧相连接，并且所述连接部被配置于所述控制电极的第1控制电极和第2控制电极彼此相对的区域的端部侧或该区域的外侧。

2.一种半导体装置，其特征在于，具有：

第1导电型的第1半导体区域；

第2导电型的第2半导体区域，其配置于所述第1半导体区域的上方；

第1导电型的第3半导体区域，其配置于所述第2半导体区域的上方；

第2导电型的第4半导体区域，其配置于所述第3半导体区域的上方；

绝缘膜，其配置于槽的内壁上，所述槽从所述第4半导体区域的上表面起延伸并贯通所述第4半导体区域和所述第3半导体区域而到达所述第2半导体区域；

控制电极，其在所述槽的侧面被配置于所述绝缘膜上，并与所述第3半导体区域相对；

第1主电极，其与所述第1半导体区域电连接；以及

第2主电极，其与所述第4半导体区域电连接；以及

底面电极，其在所述槽的底面被配置于所述绝缘膜的上方，并且被配置为与所述控制电极分离，

在俯视时，所述槽的面积比形成在相邻的所述槽之间的半导体区域的面积大，

所述底面电极具有主体部和连接部，所述主体部配置于所述槽的底面，所述连接部将该主体部与所述第2主电极电连接，

所述连接部与所述主体部的延伸方向上的端部侧相连接，并且所述连接部被配置于所述控制电极的第1控制电极和第2控制电极彼此相对的区域的端部侧或该区域的外侧。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述底面电极与所述第2主电极电连接。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述控制电极具有第1控制电极和第2控制电极，所述第1控制电极和第2控制电极设置于所述槽的第1侧面和与所述第1侧面相对的第2侧面，并且所述第1控制电极和第2控制电极被配置为隔着所述绝缘膜与所述第3半导体区域相对，

所述底面电极从所述第1侧面侧朝所述第2侧面侧延伸。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述底面电极具有主体部和连接部，所述主体部配置于所述槽的底面，所述连接部将该主体部和所述第2主电极电连接，

在俯视时，所述主体部形成为带状，并且在所述槽的延伸方向上延伸，所述连接部在所述槽的深度方向上延伸。