[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

提供一种具有即便进行微型化也能够较容易地制造且能够抑制起因于微型化的电特性下降的结构半导体装置以及其制造方法。在氧化物半导体层的顶面上形成源电极层及漏电极层。氧化物半导体层的侧面与源电极层的侧面被设置于同一面上，并电连接于第一布线。此外，氧化物半导体层的侧面与漏电极层的侧面被设置于同一面上，并电连接于第二布线。

技术领域

本发明涉及一种物体、方法或者制造方法。本发明涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。尤其是，本发明的一个实施方式涉及一种半导体装置、显示装置、发光装置、存储装置、运算单元、成像装置、上述装置的驱动方法或者上述装置的制造方法。

在本说明书等中，半导体装置一般是指能够通过利用半导体特性工作的装置。晶体管及半导体电路是半导体装置的实施方式。在有些情况下，存储装置、显示装置或电子设备包括半导体装置。

背景技术

通过使用形成在具有绝缘表面的衬底上的半导体薄膜来形成晶体管(还被称为薄膜晶体管(TFT))的技术已经受到注目了。该晶体管被广泛地用于如集成电路(IC)及图像显示装置(显示装置)等电子设备。硅类半导体材料作为可应用于晶体管的半导体薄膜的材料被广为人知。作为其他例子，氧化物半导体已经引人注目。

例如，在专利文献1中，其活性层包括包含铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的非晶氧化物半导体的晶体管被公开。

[参考文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利申请公开No.2006-165528

发明内容

集成电路的高密度化需要晶体管的微型化，并因为该微型化增加制造工序的难度，所以需要具有简单结构的晶体管及晶体管的简单的制造方法。

另外，已知晶体管的微型化可能会引起晶体管的电特性的劣化或偏差。换言之，晶体管的微型化可能会导致集成电路的成品率降低。

由此，本发明的一个实施方式的目的之一是提供一种具有即便在微型化的情况下也能够通过简单的工序来制造的结构的半导体装置。另一个目的是提供一种具有能够抑制因微型化导致的成品率下降的结构的半导体装置。本发明的一个实施方式的另一个目的是提供一种能够抑制随着晶体管的微型化而逐渐显著的电特性下降的半导体装置。另一个目的是提供一种具有高集成度的半导体装置。另一个目的是提供一种电特性的劣化得到减少的半导体装置。另一个目的是提供一种电特性的偏差得到减少的半导体装置。另一个目的是提供一种功耗低的半导体装置。另一个目的是提供一种可靠性高的半导体装置。另一个目的是提供一种即便在停止电源供应时也能保持数据的半导体装置。另一个目的是提供一种上述半导体装置的制造方法。

注意，这些目的的描述不妨碍其他目的的存在。注意，在本发明的一个实施方式中，并不需要实现所有上述目的。其他目的从说明书、附图、权利要求书等的描述中是显而易见的，并可以从所述描述中导出。

本发明的一个实施方式涉及一种半导体装置，其中在氧化物半导体层的顶面上形成有源电极层或漏电极层。

注意，在本说明书中，“侧面接触”是指使一个元件的侧面与另一个元件的一部分接触以获得这两者之间的电连接的状态。