[发明专利]制造具有背面钝化层的光伏电池的方法在审
申请号: | 201480026255.3 | 申请日: | 2014-05-08 |
公开(公告)号: | CN105190905A | 公开(公告)日: | 2015-12-23 |
发明(设计)人: | 黄华松;陈浩;宫华;A·萨恩格;D·雷克曼 | 申请(专利权)人: | 西玛耐诺技术以色列有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H02S50/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈哲锋;江磊 |
地址: | 以色列*** | 国省代码: | 以色列;IL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 具有 背面 钝化 电池 方法 | ||
1.一种用于制备光伏电池的方法,该方法包括:
(a)提供具有背面钝化层的半导体基材;
(b)将包含玻璃料颗粒的自组装乳液涂覆到该背面钝化层上;
(c)允许该乳液自组装成限定单元的迹线的网络;
(d)在该网络上形成电极,来构建前体电池;和
(e)烧制该前体电池,使网络烧穿该钝化层,并在所述半导体基材和所述电极之间形成电接触。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述乳液包含玻璃料颗粒和金属纳米颗粒。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述金属纳米颗粒选自下组:银纳米颗粒,铝纳米颗粒,银-铝纳米颗粒,及其组合。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述半导体基材包括硅基材。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,该背面钝化层选自下组:铝氧化物层,硅氧化物层,硅氮化物层,及其组合。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述迹线的平均宽度小于10微米。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述迹线的平均宽度小于5微米。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述电极对于可见光是不透明的。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述网络提供小于10%的在基材上的区域覆盖率。
10.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述网络在基材上提供小于5%的区域覆盖率。
11.一种光伏电池,其包含:
(a)具有正面和背面的半导体基材;
(b)在该基材的正面上的电极;
(c)在该基材的背面上的层,该层包含由互连的迹线隔开的钝化区域,其中迹线的平均宽度小于10微米,且该互连的迹线提供小于10%的在基材的背面上的区域覆盖率;和
(d)第二电极,其与该层重叠并与该半导体基材电接触。
12.如权利要求11所述的光伏电池,其特征在于,所述互连的迹线提供小于5%的在基材的背面上的区域覆盖率。
13.如权利要求11所述的光伏电池,其特征在于,所述迹线的平均宽度小于5微米。
14.如权利要求11所述的光伏电池,其特征在于,所述迹线的平均宽度小于5微米且所述互连的迹线提供小于5%的在基材的背面上的区域覆盖率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的