[发明专利]非线性光学晶体的钝化

说明书

供在检查工具中使用的非线性光学晶体的钝化包含：在存在氟、氟化物离子及含氟化物化合物中的至少一者的情况下生长非线性光学晶体；机械地制备所述非线性光学晶体；对所述非线性光学晶体执行退火过程；及将所述非线性光学晶体暴露于含氢或含氘钝化气体。

相关申请案的交叉参考

本申请案涉及且主张来自以下所列举申请案(“相关申请案”)的最早可用有效申请日期的权益(例如，主张除临时专利申请案以外的最早可用优先权日期或依据35 USC§119(e)主张临时专利申请案、相关申请案的任一及所有母案、前代母案、前二代母案等的权益)。

相关申请案：

出于USPTO非法定要求的目的，本申请案构成美国临时专利申请案的正式(非临时)专利申请案，所述美国临时专利申请案标题为“由氢钝化的NLO晶体性质(NLO CRYSTALPROPERTIES BY HYDROGEN PASSIVATION)”，发明人称作弗拉基米尔德里宾斯基(VladimirDribinski)及永和亚历克斯庄(Yung-Ho Alex Chuang)，于2013年4月10日提出申请，申请案号为61/810,605。

技术领域

本发明涉及非线性光学材料的领域，且特定来说，涉及一种用于钝化非线性光学晶体以纠正晶体缺陷的系统及方法。本发明进一步涉及深紫外(DUV)激光器及并入有非线性光学晶体的相关检查系统。

背景技术

许多现代激光系统需要非线性光学(NLO)元件。激光系统通常将NLO晶体用于例如混频、拉曼(Raman)放大、克尔(Kerr)透镜锁模、电光调制、声光调制及类似物的许多应用。

NLO元件的激光诱发的损坏(LID)为许多现代激光系统的主要限制。LID由于激光辐射与组成给定NLO元件的材料之间的相互作用而发生。暴露于激光系统内的电磁辐射可负面地影响NLO晶体的各种物理及光学性质，例如但不限于透射率、反射率及折射。继而，由所发生的LID所致的物理性质的此降级最终导致给定激光系统内的NLO元件的故障。

LID在利用较短波长的电磁光谱(例如具有小于300nm的波长的深紫外(DUV)光)的激光系统中变得甚至更成问题。另外，NLO晶体在其具有较大数量或量的晶体缺陷(例如但不限于位错、杂质、空位及类似物)时较易受LID影响。因此，NLO晶体中的晶体缺陷的存在导致LID的所增加水平且继而导致较短晶体寿命。

由此，将期望提供一种纠正上文所识别的现有技术的缺陷的方法及系统。

发明内容

根据本发明的说明性实施例，描述一种用于钝化非线性光学晶体的晶体缺陷的方法。在一个实施例中，所述方法可包含在存在氟、氟化物离子及含氟化物化合物中的至少一者的情况下生长非线性光学晶体。在另一实施例中，所述方法可包含机械地制备(例如，切割及/或抛光)所述非线性光学晶体。在另一实施例中，所述方法可包含对所述非线性光学晶体执行退火过程。在另一实施例中，所述方法可包含将所述非线性光学晶体暴露于钝化气体，例如含氢或含氘钝化气体。