[发明专利]β-Ga2O3系单晶的培养方法、以及β-Ga2O3系单晶基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201480025539.0 | 申请日： | 2014-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN105189836B | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 舆公祥;增井建和;泷泽胜 | 申请（专利权）人： | 株式会社田村制作所;株式会社光波 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B15/34 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 徐谦;张铁兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ga sub 系单晶 培养 方法 以及 系单晶基板 及其 制造 | ||
1.一种β-Ga2O3系单晶的培养方法，其使用EFG法，包含如下工序：
使坩埚内的Ga2O3系熔体通过模具的狭缝上升到所述模具的开口部为止，在晶种的水平方向的位置从所述模具的宽度方向W的中心向所述宽度方向W的端部侧偏移的状态下，使所述晶种与位于所述模具的开口部的所述Ga2O3系熔体接触；以及
提拉与所述Ga2O3系熔体接触了的所述晶种，使β-Ga2O3系单晶生长。
2.根据权利要求1所述的β-Ga2O3系单晶的培养方法，其中，
在所述晶种的水平方向的位置位于所述模具的所述宽度方向W的端部上的状态下，使所述晶种与位于所述模具的开口部的所述Ga2O3系熔体接触。
3.根据权利要求1所述的β-Ga2O3系单晶的培养方法，其中，
使所述β-Ga2O3系单晶在b轴方向生长。
4.根据权利要求1所述的β-Ga2O3系单晶的培养方法，其中，
所述β-Ga2O3系单晶是以(101)面、(－201)面或者(001)面为主面的平板状单晶。
5.根据权利要求1所述的β-Ga2O3系单晶的培养方法，进一步包含如下工序：
从所述β-Ga2O3系单晶切出第2晶种；
使第2坩埚内的第2Ga2O3系熔体通过第2模具的狭缝上升到所述第2模具的开口部为止，使所述第2晶种与位于所述第2模具的开口部的所述第2Ga2O3系熔体接触；以及
提拉与所述第2Ga2O3系熔体接触了的所述第2晶种，使第2β-Ga2O3系单晶在向厚度方向扩肩后平板状生长。
6.根据权利要求5所述的β-Ga2O3系单晶的培养方法，其中，
所述第2晶种是从第1区域与所述β-Ga2O3系单晶的所述宽度方向的两端部中的到所述第1区域的距离大的一方的端部之间的区域切出的，上述第1区域曾在所述β-Ga2O3系单晶生长时位于所述晶种的正下方。
7.根据权利要求5所述的β-Ga2O3系单晶的培养方法，进一步包含如下工序：
从所述第2β-Ga2O3系单晶切出第3晶种；
使第3坩埚内的第3Ga2O3系熔体通过第3模具的狭缝上升到所述第3模具的开口部为止，使所述第3晶种与位于所述第3模具的开口部的所述第3Ga2O3系熔体接触；以及
提拉与所述第3Ga2O3系熔体接触了的所述第3晶种，使第3β-Ga2O3系单晶生长。
8.根据权利要求2所述的β-Ga2O3系单晶的培养方法，其中，使所述β-Ga2O3系单晶在b轴方向生长。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社田村制作所;株式会社光波，未经株式会社田村制作所;株式会社光波许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480025539.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法
