[发明专利]磁场传感器装置

权利要求书

1.一种用于测量至少一种磁场矢量分量He的磁场传感器装置(10)，包括至少一个布置在芯片基板(12)上的AMR电阻设备(14)，其中，所述AMR电阻设备(14)包括十个以上经导电条(18)彼此串连连接的AMR电阻元件(16)，其特征在于：

至少一个具有磁化轴(22)的永磁元件(20)分配到各AMR电阻元件(16)使得所述永磁元件(20)的初始磁场H0沿所述磁化轴(22)的方向通过所述AMR电阻元件(16)，其中，磁化轴(22)与磁场矢量分量He成直角，自第一导电条(18a)和所述AMR电阻元件(16)之间的接触区域(24)至所述AMR电阻元件(16)和第二导电条(18b)之间的接触区域(26)流经所述AMR电阻元件(16)的测量电流Is具有相对于所述磁化轴(22)成0°<α<90°预设线性角(30)的平均电流方向轴(28)。

2.根据权利要求1所述的磁场传感器装置(10)，其特征在于，预设线性角的值为|α|＝45°。

3.根据权利要求1或2所述的磁场传感器装置(10)，其特征在于，十个以上AMR电阻元件(16)在芯片基板(12)上沿一个或多个直排(34)布置。

4.根据权利要求3所述的磁场传感器装置(10)，其特征在于，所述永磁元件(20)的磁化轴(22)与所述AMR电阻设备(14)的纵向范围平行、垂直或成45°排列。

5.根据权利要求1所述的磁场传感器装置(10)，其特征在于，所述AMR电阻元件(16)制成板形并具有对称的覆盖区。

6.根据权利要求5所述的磁场传感器装置(10)，其特征在于，所述对称的覆盖区是正多边形、圆形或椭圆形的覆盖区。

7.根据权利要求1所述的磁场传感器装置(10)，其特征在于，永磁元件(20)被分配到AMR电阻设备(14)的各AMR电阻元件(16)，其中，所述永磁元件(20)的磁通量至少部分通过所述AMR电阻元件(16)。

8.根据权利要求7所述磁场传感器装置(10)，其特征在于，所述永磁元件(20)覆盖所述AMR电阻元件(16)的全部范围。

9.根据权利要求1所述的磁场传感器装置(10)，其特征在于，沿磁化轴(22)排列的两个永磁元件(20)被分配到所述AMR电阻设备(14)的各AMR电阻元件(16)，其中，自一个磁化元件(20a)的北极到相邻的磁化元件(20b)的南极的磁通量至少部分通过所述AMR电阻元件(16)。

10.根据权利要求9所述的磁场传感器装置(10)，其特征在于，所述AMR电阻元件(16)布置在所述永磁元件(20)的末端区域之间。

11.根据权利要求10所述的磁场传感器装置(10)，其特征在于，其中相对的末端(40)沿AMR电阻元件(16)外围的至少一部分以互补的形状封上AMR电阻元件(16)。

12.根据权利要求1所述的磁场传感器装置(10)，其特征在于，所述AMR电阻元件(16)和永磁元件(20)的层厚最多为10μm。

13.根据权利要求12所述的磁场传感器装置(10)，其特征在于，所述AMR电阻元件(16)和永磁元件(20)的层厚为小于1μm，且所述永磁元件(20)的层厚不超过AMR电阻元件(16)的层厚的10倍。