[发明专利]垂直存储器中的浮动栅极存储器单元

权利要求书

1.一种存储器单元，其包括：

控制栅极，其在第一电介质材料叠层与第二电介质材料叠层之间；

浮动栅极，其在所述第一电介质材料叠层与所述第二电介质材料叠层之间，其中所述浮动栅极包含朝向所述控制栅极延伸的突出部；及

电荷阻挡结构，其在所述浮动栅极与所述控制栅极之间，其中所述电荷阻挡结构包含接触所述控制栅极的第一氧化物、接触所述浮动栅极的第二氧化物、以及所述第一氧化物和第二氧化物之间的氮化物，且其中所述第二氧化物包覆在所述浮动栅极的所述突出部周围。

2.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述浮动栅极接触所述第一电介质材料叠层及所述第二电介质材料叠层。

3.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述突出部是所述浮动栅极的朝向所述控制栅极延伸的仅有突出部。

4.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述电介质材料叠层之间的所述浮动栅极的长度实质上等于所述电介质材料叠层之间的所述控制栅极的长度。

5.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述浮动栅极与所述氮化物层及所述第二氧化物层接触。

6.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第二氧化物层将所述氮化物层与所述浮动栅极完全分离。

7.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述浮动栅极与所述第二氧化物层接触且不与所述氮化物层接触。

8.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述氮化物层的第一部分及所述第二氧化物层的第一部分在所述突出部与所述第一电介质材料叠层的上部表面之间，且其中所述氮化物层的第二部分及所述第二氧化物层的第二部分在所述突出部与所述第二电介质材料叠层的下部表面之间。

9.根据权利要求8所述的存储器单元，其中所述突出部包括中间突出部，且所述浮动栅极进一步包括：

第一突出部，其邻近于所述第一电介质材料叠层的所述上部表面；及

第二突出部，其邻近于所述第二电介质材料叠层的所述下部表面，

其中所述中间突出部在所述第一突出部与所述第二突出部之间，其中所述第二氧化物层的所述第一部分在所述第一突出部与所述中间突出部之间，且其中所述第二氧化物层的所述第二部分在所述第二突出部与所述中间突出部之间。

10.一种设备，其包含垂直存储器单元串，其中所述垂直存储器单元串的存储器单元包括：

控制栅极，其在第一电介质材料叠层与第二电介质材料叠层之间；

浮动栅极，其在所述第一电介质材料叠层与所述第二电介质材料叠层之间，其中所述浮动栅极接触所述第一电介质材料叠层及所述第二电介质材料叠层；及

电荷阻挡结构，其在所述浮动栅极与所述控制栅极之间，其中所述电荷阻挡结构包括势垒膜，其中所述势垒膜的实质上垂直部分在所述控制栅极与所述浮动栅极之间，其中所述势垒膜的第一实质上水平部分部分地在所述第一电介质材料叠层与所述浮动栅极之间横向延伸，且其中所述势垒膜的第二实质上水平部分部分地在所述第二电介质材料叠层与所述浮动栅极之间横向延伸。

11.根据权利要求10所述的设备，其中所述浮动栅极的第一部分通过所述势垒膜的所述第一实质上水平部分而与所述第一电介质材料叠层的上部表面分离，且进一步其中所述浮动栅极的第二部分通过所述势垒膜的所述第二实质上水平部分而与所述第二电介质材料叠层的下部表面分离。

12.根据权利要求10所述的设备，其中所述势垒膜的所述实质上垂直部分的厚度大于所述势垒膜的所述第一实质上水平部分的厚度且大于所述势垒膜的所述第二实质上水平部分的厚度。

13.根据权利要求10所述的设备，其中所述电介质材料叠层之间的所述浮动栅极的长度实质上等于所述电介质材料叠层之间的所述控制栅极的长度。

14.根据权利要求10所述的设备，其中所述势垒膜包括氮化物层。

15.根据权利要求10所述的设备，其中所述电荷阻挡结构进一步包括第一氧化物层及第二氧化物层。

16.根据权利要求15所述的设备，其中所述势垒膜包括氮化物层。