[发明专利]用于利用脉冲磁场来磁化激光等离子体的装置

权利要求书

1.一种用于利用脉冲磁场来磁化激光等离子体的装置，所述装置包括：

真空腔室(4)，在所述真空腔室(4)中放置有靶(5)，所述靶(5)在所述靶(5)与激光脉冲(3)的相互作用的期间能够产生激光等离子体(6)；以及

绕组(8)，所述绕组(8)能够被供电，以在所述激光等离子体中产生脉冲磁场(9)，

所述装置的特征在于，所述绕组被放置在基本上穿透到所述真空腔室(4)的内部中且容纳冷却流体(11)的再凹入腔室(10)中。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述再凹入腔室(10)包括轴向真空导通导管(12)，所述轴向真空导通导管(12)包括两个轴向端部(13，14)，所述轴向端部的每一者与所述真空腔室(4)连通。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述绕组(8)包括环绕所述轴向真空导通导管(12)的至少一个线圈(15)。

4.根据权利要求2所述的装置，其中，所述绕组(8)包括环绕所述轴向真空导通导管(12)的两个线圈(15，16)，所述线圈由中央板(17)分开。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述再凹入腔室(10)还包括至少一个径向真空导通导管(18)，所述径向真空导通导管(18)包括两个径向端部(19，20)，所述径向端部的每一者与所述真空腔室(4)连通。

6.根据权利要求5所述的装置，其中所述绕组(8)包括环绕轴向真空导通导管(12)的两个线圈(15，16)，所述线圈由中央板(17)分开，并且其中，所述径向真空导通导管(18)位于将所述两个线圈(15，16)分开的所述中央板(17)中。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述靶(5)基本上被放置在所述绕组(8)的中间。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述靶(5)基本上被放置在所述绕组(8)的一个端部处。

9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述冷却流体(11)为气体或液体。

10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述冷却流体(11)为液氮或液氦。

11.根据权利要求1所述的装置，其中，所述再凹入腔室(10)包括弱导电耐真空材料。

12.根据权利要求1所述的装置，其中，所述再凹入腔室(10)包括不锈钢。

13.根据权利要求1所述的装置，其中，所述脉冲磁场(9)为磁场强度高于10特斯拉的磁场。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的装置，所述装置还包括用于发出激光脉冲(3)的激光源(2)，所述激光脉冲(3)能够与所述靶(5)相互作用，以产生所述激光等离子体(6)，并且其中，所述激光脉冲具有基本上包括在1吉瓦与1拍瓦之间的功率。

15.根据权利要求14所述的装置，其中，所述激光脉冲(3)具有基本上包括在10飞秒与10纳秒之间的持续时间。