[发明专利]具有带有柱状结构上的有源区的半导体层序列的发光装置

权利要求书

1.一种具有柱状的结构(5)的装置(1)，柱状的所述结构以一个端部设置在衬底(2)上，其中所述结构(5)至少部分地借助具有用于产生电磁辐射的有源区(7)的半导体层结构(6)覆盖，其中所述有源区(7)具有用于辐射性的复合的带隙，其中所述有源区(7)构成为，使得所述带隙沿着所述结构(5)的纵轴线在朝所述结构(5)的自由端部(25)的方向减小，以至于增强载流子沿着朝所述结构(5)的所述自由端部(25)的方向的扩散和载流子在所述结构(5)的所述自由端部(25)的区域中的辐射性的复合，其中所述有源区(7)的材料组分至少在一个部段中沿着朝所述结构(5)的所述自由端部(25)的方向改变成，使得所述带隙沿着朝所述结构(5)的所述自由端部(25)的方向减小。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述有源区(7)覆盖柱状的所述结构(5)的外面的至少85％。

3.根据权利要求1或2所述的装置，其中所述有源区(7)的至少一个量子阱层的厚度至少在一个部段中沿着朝所述结构(5)的所述自由端部(25)的方向增加。

4.根据权利要求1或2所述的装置，其中量子阱层的材料组分至少在一个部段中沿着朝所述结构(5)的所述自由端部(25)的方向改变成，使得所述带隙沿着朝所述结构(5)的所述自由端部(25)的方向减小。

5.根据权利要求1或2所述的装置，其中所述有源区(7)构成为，使得所述带隙至少在一个部段(10，11)中沿着朝所述自由端部(25)的方向连续地减小。

6.根据权利要求1或2所述的装置，其中所述有源区(7)沿着所述结构(5)的纵向方向至少设置在两个平面(10，11，23)中，其中所述两个平面彼此倾斜地设置，其中所述有源区(7)构成为，使得所述带隙至少在一个平面(10，11，23)中沿着朝所述自由端部(25)的方向至少在一个部段中减小。

7.根据权利要求1或2所述的装置，其中所述带隙至少在一个平面(10，11，23)中沿着朝所述自由端部(25)的方向连续地或不连续地减小。

8.根据权利要求1或2所述的装置，其中所述带隙至少在一个平面(10，11，23)中沿着朝所述自由端部(25)的方向逐级地减小。

9.根据权利要求1或2所述的装置，其中所述有源区(7)具有In，并且其中铟的浓度沿着朝所述结构(5)的所述自由端部(25)的方向增加。

10.根据权利要求9所述的装置，其中所述有源区(7)具有InGaN层。

11.根据权利要求9所述的装置，其中铟的浓度至少在平面的一个部段(11，12)中沿着朝所述自由端部(25)的方向连续地或逐级地增加。

12.根据权利要求9所述的装置，其中所述有源区(7)具有InGaN层，并且其中铟的浓度至少在平面的一个部段(11，12)中沿着朝所述自由端部(25)的方向连续地或逐级地增加。

13.根据权利要求1或2所述的装置，其中柱状的所述结构(5)具有晶体结构，其中所述结构(5)的外面(9)沿着朝所述结构(5)的所述自由端部(25)的方向从第一晶体平面(10)过渡到第二晶体平面(11)，其中所述有源区(7)构成在两个平面中的两个晶体平面上，使得所述有源区(7)的所述带隙从第一平面(10)朝向第二平面(11)减小。

14.根据权利要求1或2所述的装置，其中在所述结构(5)的自由的端部区域中在所述有源区(7)上设有绝缘层(16)，并且其中在所述绝缘层(16)上设有用于加电偏压的电接触部(15)。

15.根据权利要求1或2所述的装置，其中柱状的所述结构(5)沿着纵向方向划分为三个部段(10，11，23)，其中在第一部段(10)中所述结构的直径沿着朝所述结构(5)的所述自由端部(25)的方向基本上是恒定的，其中在随后的第二部段(11)中，所述结构(5)的直径减小，并且其中所述结构(5)的第三部段(23)连接到所述第二部段(11)上。

16.根据权利要求15所述的装置，其中所述有源区(7)的端部区域在平面(12)上设置在所述结构(5)在所述第三部段(23)中的所述自由端部(25)处，其中所述平面(12)横向于所述结构(5)的所述纵轴线设置。