[发明专利]具有动态工作的参考电路的存储器器件有效
申请号: | 201480023175.2 | 申请日: | 2014-04-24 |
公开(公告)号: | CN105144294B | 公开(公告)日: | 2017-11-17 |
发明(设计)人: | R·特韦斯;R·费朗 | 申请(专利权)人: | 苏泰克公司 |
主分类号: | G11C7/06 | 分类号: | G11C7/06;G11C11/4091;G11C7/04;G11C7/14;G11C11/4099;G11C7/08 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人: | 程伟,王锦阳 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 动态 工作 参考 电路 存储器 器件 | ||
1.一种半导体存储器器件,其包括:
-至少一个感测放大器电路(SAi),其用于读取从存储器阵列中的所选择的存储器单元感测的数据,所述感测放大器电路包括形成交叉耦接反相器的四个晶体管,每个晶体管具有第一控制栅极和第二控制栅极,所述感测放大器电路的两个晶体管的第一栅极连接在一起并且形成第一输入/输出节点,所述感测放大器电路的另外两个晶体管的第一栅极连接在一起并且形成感测放大器电路的第二输入/输出节点,所述第二输入/输出节点连接至位线,
-至少一个参考电路(RSAj),每个所述参考电路(RSAj)是所述感测放大器电路(SAi)的复本并且具有输出(OUTj),所述参考电路(RSAj)通过该输出将输出物理量发送,所述参考电路包括形成交叉耦接反相器的四个晶体管,每个晶体管具有第一控制栅极和第二控制栅极,所述参考电路的两个晶体管的第一栅极连接在一起并且形成第一输入/输出节点,所述参考电路的另外两个晶体管的第一栅极连接在一起并且形成参考电路的第二输入/输出节点,
-调节网络,其向每个所述感测放大器电路(SAi)和每个所述参考电路(RSAj)提供调节信号(REG),其中,所述调节信号(REG)通过对所述输出物理量在时间和/或多个参考电路的输出上进行平均而获得,
其特征在于,调节网路包括控制单元(CU),其配置为将每个参考电路输出(OUTj)的物理量与目标均值求和,其中,所述参考电路输出(OUTj)的所述物理量与所述目标均值以相反的符号求和,所述控制单元基于所述求和而发送调节信号(REG),所述调节信号(REG)供给到每个所述感测放大器电路(SAi)和每个所述参考电路(RSAj):
通过将调节信号供给到每个所述感测放大器电路(SAi)和每个所述参考电路(RSAj)的第一输入/输出节点,以用作感测操作的参考,或者
通过将调节信号供给到每个感测放大器电路和每个参考电路的一个或多个晶体管的第二控制栅极,利用所述调节信号来控制所述第二控制栅极。
2.根据权利要求1所述的半导体存储器器件,其中,目标均值是电压VL+(VH-VL)/2,VL和VH分别是感测放大器电路(SAi)和参考电路(RSAj)的工作电压的低电压电平和高电压电平,其限定了各自的低逻辑电平和高逻辑电平。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器器件,其中,所述参考电路输出(OUTj)中的每一个分别单独地连接至一个电容器,每个电容器连接至DC电压(V0)。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器器件,其中,调节信号(REG)是每个所述参考电路(RSAj)的所述输出物理量的和与所述目标均值之间的差在时间和/或多个参考电路的输出上的平均。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器器件,其中,调节信号(REG)是被每个所述感测放大器电路(SAi)和每个参考电路(RSAj)用作参考电压的电压。
6.根据权利要求1所述的半导体存储器器件,其中,控制单元(CU)包括具有反相输入和非反相输入的运算放大器(OA),目标均值被施加到所述非反相输入,而所述反相输入通过至少一个开关和/或电阻器和/或电容器连接至每个所述参考电路输出(OUTj)。
7.根据权利要求6所述的半导体存储器器件,其中,每个所述参考电路输出(OUTj)通过至少一个开关(SWj)连接至控制单元(CU),该开关允许控制单元(CU)在所述至少一个感测放大器电路(SAi)和所述至少一个参考电路(RSAj)的感测操作之前和感测操作期间与所述输出(OUTj)断开。
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