[发明专利]用于局部力感测的装置和方法

权利要求书

1.一种配置成感测一感测区中的输入对象的电容性输入装置，所述电容性输入装置包括：

包括输入表面、传感器电极的第一阵列和传感器电极的第二阵列的易弯组件，所述易弯组件的特征为弯曲硬度；

传感器电极的第三阵列；以及

设置在所述传感器电极的第三阵列与所述易弯组件之间的间隔层，所述间隔层的特征为压缩硬度；

其中，响应由所述输入对象施加到所述输入表面的力，所述输入表面配置成变形并且所述易弯组件配置成使至少一个所述传感器电极的第二阵列朝所述传感器电极的第三阵列偏转；以及

所述输入表面的所述变形和所述传感器电极的第二阵列的所述偏转是所述易弯组件的所述弯曲硬度和所述间隔层的所述压缩硬度的函数，

其中所述传感器电极的第一阵列和所述传感器电极的第二阵列配置成执行绝对电容感测和/或跨电容性感测，以感测所述感测区中的输入对象的位置信息，并且，所述传感器电极的第二阵列和所述传感器电极的第三阵列配置成执行绝对电容感测和/或跨电容性感测以感测接触所述输入表面的输入对象的力信息。

2.如权利要求1所述的输入装置，其中所述输入表面的所述变形和所述传感器电极的第二阵列的所述偏转基于所述易弯组件的所述弯曲硬度与所述间隔层的所述压缩硬度的比率。

3.如权利要求1所述的输入装置，其中施加到所述输入表面的所述力使所述传感器电极的第二阵列的子集朝所述第三阵列偏转。

4.如权利要求1所述的输入装置，其中所述易弯组件配置成响应施加到所述输入表面的力而变形，使得所述传感器电极的第二阵列的至少一个传感器电极朝所述传感器电极的第三阵列偏转，而所述传感器电极的第二阵列的至少一个传感器电极相对于所述传感器电极的第三阵列保持大体上静止。

5.如权利要求1、2、3或4所述的输入装置，其中所述间隔层包括下列至少一个：闭室多孔材料；开室多孔材料；粘合剂；金字塔形状结构；以及网格结构。

6.如权利要求1、2、3、或4所述的输入装置，其中所述第一、第二和第三阵列的每个包括多个电极，并且所述第一阵列的电极与所述第三阵列的电极大体上平行。

7.如权利要求1所述的输入装置，其中所述间隔层包括具有大体上均匀的弹簧常数的可压缩结构的阵列。

8.如权利要求7所述的输入装置，其中所述间隔层中的所述可压缩结构的阵列在衬底上形成，其中所述传感器电极的第三阵列设置在所述衬底与所述间隔层之间。

9.如权利要求1、2、3、4或7所述的输入装置，还包括处理系统，其在通信上耦合到所述传感器电极的第一、第二和第三阵列，所述处理系统配置成：

测量下列至少两个之间的第一电容性耦合：所述传感器电极的第一阵列；所述传感器电极的第二阵列；以及所述感测区中的输入对象；

测量所述传感器电极的第三阵列与所述传感器电极的第二阵列之间的第二电容性耦合；

基于所述第一和第二电容性耦合的至少一个的变化来确定所述感测区中所述输入对象的位置信息；以及

基于所述第二电容性耦合的变化来确定与所述输入表面进行交互的输入对象的力信息。

10.如权利要求9所述的输入装置，其中所述处理系统还配置成基于所述第一和第二电容性耦合来区分导电输入对象与非导电输入对象。