[发明专利]蚀刻方法

权利要求书

1.一种蚀刻方法，其特征在于，

该蚀刻方法包括以下工序：

将在表面上具有氮化硅膜且具有与所述氮化硅膜相邻地设置的多晶硅膜和/或氧化硅膜的被处理基板配置在腔室内；

将含F气体和O₂气体以至少将O₂气体激励后的状态向所述腔室内供给；以及

利用这些气体相对于所述多晶硅膜和/或所述氧化硅膜选择性地对所述氮化硅膜进行蚀刻，

其中，将所述含F气体和所述O₂气体在所述腔室外单独地利用等离子体激励之后单独地导入到所述腔室内。

2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，

还供给非活性气体来进行蚀刻处理。

3.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于，

在所述蚀刻之前，向所述被处理基板供给氧等离子体而对所述被处理基板的表面进行预氧化处理。

4.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于，

所述含F气体是被非活性气体稀释后的F₂气体。

5.根据权利要求4所述的蚀刻方法，其特征在于，

在进行所述蚀刻时，F₂气体与O₂气体之间的体积比在1：2～1：1000的范围内。

6.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于，

所述含F气体为ClF₃气体。

7.根据权利要求6所述的蚀刻方法，其特征在于，

在进行所述蚀刻时，ClF₃气体与O₂气体之间的体积比在1：4～1：1000的范围内。

8.根据权利要求2所述的蚀刻方法，其特征在于，

所述非活性气体是N₂气体和/或Ar气体。

9.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于，

在进行所述蚀刻时，使在所述腔室内载置所述被处理基板的载置台的温度在10℃～200℃的范围内。

10.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于，

在进行所述蚀刻时，使所述腔室内的压力在13Pa～1333Pa的范围内。

11.一种蚀刻方法，其特征在于，

该蚀刻方法包括以下工序：

将在表面上具有氮化硅膜且具有与所述氮化硅膜相邻地设置的多晶硅膜和/或氧化硅膜的被处理基板配置在腔室内；

将含F气体和O₂气体以至少将O₂气体激励后的状态向所述腔室内供给；以及

利用这些气体相对于所述多晶硅膜和/或所述氧化硅膜选择性地对所述氮化硅膜进行蚀刻，

将所述含F气体在没有被激励的情况下导入到所述腔室内，将所述O₂气体在所述腔室外利用等离子体激励之后导入到所述腔室内。

12.根据权利要求11所述的蚀刻方法，其特征在于，

还供给非活性气体来进行蚀刻处理。

13.根据权利要求11或12所述的蚀刻方法，其特征在于，

在所述蚀刻之前，向所述被处理基板供给氧等离子体而对所述被处理基板的表面进行预氧化处理。

14.根据权利要求11或12所述的蚀刻方法，其特征在于，

所述含F气体是被非活性气体稀释后的F₂气体。

15.根据权利要求14所述的蚀刻方法，其特征在于，

在进行所述蚀刻时，F₂气体与O₂气体之间的体积比在1：2～1：1000的范围内。

16.根据权利要求11或12所述的蚀刻方法，其特征在于，

所述含F气体为ClF₃气体。

17.根据权利要求16所述的蚀刻方法，其特征在于，

在进行所述蚀刻时，ClF₃气体与O₂气体之间的体积比在1：4～1：1000的范围内。