[发明专利]磁片用软磁性扁平粉末和使用了它的磁片以及软磁性扁平粉末的制造方法有效

专利信息
申请号: 201480022045.7 申请日: 2014-05-14
公开(公告)号: CN105122390B 公开(公告)日: 2018-02-16
发明(设计)人: 泽田俊之;前泽文宏 申请(专利权)人: 山阳特殊制钢株式会社
主分类号: H01F1/20 分类号: H01F1/20;B22F1/00;B22F9/08;C22C19/03;C22C38/00;H01F1/26;H01F41/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 张玉玲
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 磁片 磁性 扁平 粉末 使用 以及 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及用于各种电子器件的、薄片表面的平滑性优异并具有高导磁率的磁片用软磁性扁平粉末和含有它的磁片以及该软磁性扁平粉末的制造方法。

背景技术

历来,含有软磁性扁平粉末的磁片被作为电磁波吸收体、RFID(Radio Frequency Identification:射频识别)用天线使用。另外,近年来,也被用于称为数字转换器的位置检测装置。在该数字转换器中,例如有日本特开2011-22661号公报(专利文献1)这样的电磁感应型的,由内置于面板状的位置检测器的环形线圈读取内置于笔状的位置指示器的前端的线圈所发送的高频信号,从而检测指示位置。在此,出于提高检测灵敏度的目的,在环形线圈的背面配置有作为高频信号的磁路的磁路片。

作为该磁路片,可适用的有,使软磁性扁平粉末在树脂和橡胶中取向的磁片、和贴合有软磁性非晶合金箔的等。使用磁片时,因为能够使检测面板整体成为1张板,所以非晶箔这样的贴合部不会发生检测不良等而能够得到优异的均匀性。

数字转换器功能可适用到智能手机和平板终端等,但这样的移动电子设备对小型化的要求严苛,作为磁路片使用的磁片薄壁化的要求也高,要使用薄度在50μm以下程度的磁片。此外,平板(タブレツト)终端也有液晶画面达到10英寸的,对磁片还要求大面积。

以一般适用的轧制和冲压的方法制作这样的薄磁片时,现有厚度的磁片中不成为问题的薄片表面的突起变成了问题。即,使用的软磁性扁平粉末中,如果混入例如100μm的异物,则在现有这样的500μm左右厚度的磁片中,异物陷入片中,不会成为薄片表面的突起。

另一方面,在50μm薄的磁片中,异物比薄片厚度大,因此在薄片表面突起显现,在使用上造成干扰,因此该磁片为不合格品。特别是像平板终端这样需要大面积时,不合格品的频率变高。此外,磁片的厚度薄,且随着面积变大,薄片的宏观上的波纹的问题也不能无视。

一直以来,会利用磨碎机(对转圆盘式破碎机)等使Fe-Si-Al合金、Fe-Si合金、Fe-Ni合金、Fe-Al合金、Fe-Cr合金等所构成的粉末扁平化,并将之添加到磁片中。这是由于,为了得到高导磁率的磁片,由所谓的“Ollendorff的算式”可知,重要的是使用导磁率高的软磁性粉末,为了降低去磁场而使用在磁化方向拥有高的长宽比的扁平粉末,在磁片中高填充软磁性粉末。

特别是,高的长宽比被认为是重要的因素,许多情况下,采用能够得到最大的长宽比的磨碎加工条件。但是,在用于数字转换器用磁路片的极薄的磁片等之中,关于抑制上述表面突起不良的方法并未提出,形成现有的技术没有应对的状况。

【现有技术文献】

【专利文献】

专利文献1:日本特开2011-22661号公报

专利文献2:日本特开2005-116819号公报

因此发明者们制作使磨碎加工的时间变化的扁平粉末,详细地调查了扁平粉末的振实密度等的因素与磁片的表面突起不良率的关系。其结果确认到,磨碎加工时间过短,振实密度过高时,未充分扁平化的接近球状的粗大粒子残存并成为表面突起,以及磨碎加工时间过长,例如像日本特开2005-116819号公报(专利文献2)这样,振实密度过低时,扁平粉末之间缠绕凝集,成为粗大的块而成为表面突起。

还有,发现在能够得到最大的长宽比的磨碎加工时间中,已经扁平的粉末彼此开始凝集,通过以比之稍短的时间进行磨碎加工,则能够抑制由上述两个要因构成的磁片的表面突起不良,从而达成了本发明。

发明内容

因此,本发明的目的在于,提供一种作为磁片使用时,突起不良少,能够实现高导磁率的软磁性扁平粉末和使用了它的高导磁率磁片,以及该软磁性扁平粉末的制造方法。

根据本发明的一个方式,提供一种软磁性扁平粉末,其是一种薄片表面的平滑性优异并具有高导磁率的磁片用软磁性扁平粉末,该软磁性扁平粉末通过对软磁性粉末进行扁平化处理而取得,该软磁性扁平粉末中,

平均粒径为40~53μm,

振实密度相对于真密度的比为0.20~0.23,

平均长宽比为10~40,

平均厚度为1.6~3.1μm,

氧含量为0.16~0.48质量%,

氮含量为10~250ppm。

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