[发明专利]金属阳极用空穴传输性清漆以及复合金属阳极在审
申请号: | 201480021627.3 | 申请日: | 2014-04-16 |
公开(公告)号: | CN105122493A | 公开(公告)日: | 2015-12-02 |
发明(设计)人: | 古贺春香;中家直树 | 申请(专利权)人: | 日产化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;C07C211/54;C07C211/55;C07D333/18;H05B33/10;H05B33/26 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 王永红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 阳极 空穴 传输 清漆 以及 复合 | ||
1.金属阳极用空穴传输性清漆,其用于在金属阳极上形成叠层的薄膜,该薄膜将接受的来自该金属阳极的空穴传输到在与上述金属阳极相反侧上叠层的层中;其特征在于,
其含有电荷传输性物质、包含杂多酸的掺杂剂物质以及有机溶剂。
2.权利要求1所述的金属阳极用空穴传输性清漆,其中,上述电荷传输性物质为选自苯胺衍生物和噻吩衍生物中的至少1种。
3.权利要求2所述的金属阳极用空穴传输性清漆,其中,上述苯胺衍生物由式(1)表示:
[化1]
式中,X1表示-NY1-、-O-、-S-、-(CR7R8)l-或单键;
Y1相互独立地表示氢原子、可被Z1取代的碳数1~20的烷基、碳数2~20的烯基或碳数2~20的炔基、或者可被Z2取代的碳数6~20的芳基或碳数2~20的杂芳基;
R1~R8相互独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、氨基、醛基、羟基、硫醇基、磺酸基、羧酸基、可被Z1取代的碳数1~20的烷基、碳数2~20的烯基或碳数2~20的炔基、可被Z2取代的碳数6~20的芳基或碳数2~20的杂芳基、-NHY2、-NY3Y4、-C(O)Y5、-OY6、-SY7、-SO3Y8、-C(O)OY9、-OC(O)Y10、-C(O)NHY11、或者-C(O)NY12Y13基;
Y2~Y13相互独立地表示可被Z1取代的碳数1~20的烷基、碳数2~20的烯基或碳数2~20的炔基、或者可被Z2取代的碳数6~20的芳基或碳数2~20的杂芳基;
Z1表示卤素原子、硝基、氰基、氨基、醛基、羟基、硫醇基、磺酸基、羧酸基、或者可被Z3取代的碳数6~20的芳基或碳数2~20的杂芳基;
Z2表示卤素原子、硝基、氰基、氨基、醛基、羟基、硫醇基、磺酸基、羧酸基、或者可被Z3取代的碳数1~20的烷基、碳数2~20的烯基或碳数2~20的炔基;
Z3表示卤素原子、硝基、氰基、氨基、醛基、羟基、硫醇基、磺酸基、或者羧酸基;
l表示1~20的整数,m和n相互独立地表示0以上的整数,满足1≤m+n≤20,式中,当m或n为0时,X1表示-NY1-。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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