[发明专利]图案形成方法、树脂组合物、抗蚀剂膜、电子元件的制造方法及电子元件有效
申请号: | 201480021302.5 | 申请日: | 2014-04-30 |
公开(公告)号: | CN105122138B | 公开(公告)日: | 2019-11-15 |
发明(设计)人: | 滝沢裕雄;平野修史;横川夏海;二桥亘 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | G03F7/038 | 分类号: | G03F7/038;C08F212/14;C08F220/26;G03F7/004;G03F7/039;G03F7/32;H01L21/027 |
代理公司: | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 杨文娟;臧建明<国际申请>=PCT/JP |
地址: | 日本东京港区*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图案 形成 方法 感光 射线 放射 线性 树脂 组合 抗蚀剂膜 电子元件 制造 | ||
1.一种图案形成方法,其包括:
(1)使用感光化射线性或感放射线性树脂组合物来形成膜、
(2)利用光化射线或放射线对所述膜进行曝光、以及
(3)使用包含有机溶剂的显影液对经曝光的所述膜进行显影,且
所述感光化射线性或感放射线性树脂组合物含有(A)具有通过酸的作用而分解并产生极性基的基的树脂,
所述树脂(A)具有酚性羟基及由因酸的作用而脱离的基保护的酚性羟基中的至少任一者,
所述树脂(A)具有由下述通式(I)所表示的重复单元,
包含所述有机溶剂的所述显影液含有添加剂,所述添加剂与所述极性基形成离子键、氢键及偶极相互作用中的至少一种相互作用,
通式(I)中,R41、R42及R43分别独立地表示氢原子、烷基、卤素原子、氰基或烷氧基羰基;其中,R42可与Ar4键结而形成环,所述情况下的R42表示单键或亚烷基;X4表示单键、-COO-或-CONR64-,当与R42形成环时表示三价的连结基;R64表示氢原子或烷基;L4表示单键或亚烷基;Ar4表示(n+1)价的芳香环基,当与R42键结而形成环时表示(n+2)价的芳香环基;n表示1~4的整数;Y2表示氢原子或因酸的作用而脱离的基,当n≧2时分别独立地表示氢原子或因酸的作用而脱离的基。
2.根据权利要求1所述的图案形成方法,其中所述树脂(A)进而具有具备通过酸的作用而分解的基的重复单元,所述重复单元为由下述通式(V)及通式(4)的任一者所表示的重复单元,
通式(V)中,R51、R52、及R53分别独立地表示氢原子、烷基、环烷基、卤素原子、氰基、或烷氧基羰基;R52可与L5键结而形成环,所述情况下的R52表示亚烷基;L5表示单键或二价的连结基,当与R52形成环时表示三价的连结基;R54表示烷基,R55及R56分别独立地表示氢原子、烷基、环烷基、芳基、或芳烷基;R55及R56可相互键结而形成环;其中,R55与R56不同时为氢原子;
通式(4)中,R41、R42及R43分别独立地表示氢原子、烷基、环烷基、卤素原子、氰基或烷氧基羰基;R42可与L4键结而形成环,所述情况下的R42表示亚烷基;L4表示单键或二价的连结基,当与R42形成环时表示三价的连结基;R44表示烷基、环烷基、芳基、芳烷基、烷氧基、酰基或杂环基;M4表示单键或二价的连结基;Q4表示烷基、环烷基、芳基或杂环基;Q4、M4及R44的至少两个可键结而形成环。
3.根据权利要求1所述的图案形成方法,其中由所述通式(I)所表示的重复单元的一部分为由下述通式(3)所表示的重复单元,
通式(3)中,Ar3表示芳香环基;R3表示烷基、环烷基、芳基、芳烷基、烷氧基、酰基或杂环基;M3表示单键或二价的连结基;Q3表示烷基、环烷基、芳基或杂环基;Q3、M3及R3的至少两个可键结而形成环。
4.根据权利要求3所述的图案形成方法,其中所述通式(3)中的R3为碳数为2以上的基。
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