[发明专利]CVD生产空间的清洁

权利要求书

1.一种用于清洁包括多个CVD反应器的生产多晶硅用的生产室的方法，其中，在两周内进行至少一次清洁，其中，将水性清洁液用于清洁，其中，清洁所述CVD反应器的外壳、管道和所述生产室的地板。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，将用所述清洁液弄湿的无绒毛布用于清洁。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中，也将清洁机，如刷型、湿式和干式真空吸尘器，清扫机，洗涤干燥机，单盘机用于清洁。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，使用的所述清洁液包含去离子水。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，使用的所述清洁液是去离子水和包含5-15％的阴离子表面活性剂和小于5％的离子表面活性剂的中性pH清洁剂的混合物。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述CVD反应器的外壳、管道和所述生产室的地板每周清洁至少一次。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，首先在每种情况下用由所述清洁液弄湿的无绒毛布擦拭所述反应器的所述外壳和所述管道，然后用所述清洁液清洁所述地板。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中，所述地板每周清洁至少两次，所述管道和所述反应器的外壳每天清洁至少一次。

9.一种在根据权利要求1至7清洁的生产室中生产的多晶硅棒，包含：小于50pptw的Fe、小于5pptw的Zn和小于10pptw的Na的表面污染物。

10.根据权利要求9所述的多晶硅棒，包含：小于或等于35pptw的Fe、小于或等于2pptw的Zn和小于或等于7pptw的Na的表面污染物。