[发明专利]氧化物半导体靶材、氧化物半导体膜及其制造方法、以及薄膜晶体管

权利要求书

1.一种氧化物半导体靶材，其由氧化物烧结体形成，所述氧化物烧结体包含锌、锡、氧、铝以及硅，铝和硅的总含量相对于氧化物烧结体的总质量为0.1质量％以下，铝相对于所述氧化物烧结体的总质量的含有比为0.005质量％以上，且硅相对于所述氧化物烧结体的总质量的含有比小于0.03质量％，硅含量不大于铝含量，所述氧化物烧结体中锌相对于锌Zn和锡Sn的总和量的比率Zn/(Zn+Sn)以原子比率换算为大于0.52且为0.8以下。

2.根据权利要求1所述的氧化物半导体靶材，其中，铝的含有比相对于氧化物烧结体的总质量为0.005质量％以上，并且硅的含有比相对于氧化物烧结体的总质量为0.001质量％～0.02质量％。

3.一种氧化物半导体膜的制造方法，其具有：使用权利要求1或2所述的氧化物半导体靶材，通过溅射法在基板上形成氧化物半导体膜。

4.一种氧化物半导体膜，其是使用权利要求1或2所述的氧化物半导体靶材而成的。

5.一种薄膜晶体管，其具备使用权利要求4所述的氧化物半导体膜而形成的沟道层，由未照射光时的产生漏极电流的阈值电压向光照射后的产生漏极电流的阈值电压的变化幅度为0V以上且+2.0V以下。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中，所述变化幅度为0V以上且+1.5V以下。