[发明专利]用于改进闪存的可靠性和寿命的系统和方法有效
申请号: | 201480020496.7 | 申请日: | 2014-04-09 |
公开(公告)号: | CN105103131B | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | Y·毛 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | G06F11/10 | 分类号: | G06F11/10 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 周敏 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 改进 闪存 可靠性 寿命 系统 方法 | ||
1.一种用于控制闪存的方法,包括:
选择提供比当前前向纠错FEC参数集更大的冗余度的新FEC参数集;
在对所述闪存中的第一已损坏页的写操作期间使用所述新FEC参数集来编码源信息比特;以及
将所述第一已损坏页和所述闪存中的至少一个附加已损坏页映射到具有期望页大小的单个逻辑页。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述选择是响应于对所述第一已损坏页的写失败或者在从所述第一已损坏页的读操作期间所估计页差错率超过FEC阈值时执行的。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述选择包括从多个FEC参数集当中选择所述新FEC参数集,所述多个FEC参数集中的每个FEC参数集提供不同量的冗余度。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述新FEC参数集与所述当前FEC参数集相比每页具有更高数目的能被纠正的比特差错。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包括在所述第一已损坏页中存储所述新FEC参数集以及在所述至少一个附加已损坏页中存储另一FEC参数集。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包括在所述第一已损坏页和所述至少一个附加已损坏页中存储映射指示符,所述映射指示符指示从所述第一已损坏页和所述至少一个附加已损坏页到所述单个逻辑页的映射。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包括在所述第一已损坏页和所述至少一个附加已损坏页中存储次序信息,所述次序信息指示存储在所述第一已损坏页和所述至少一个附加已损坏页中的数据安排。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包括基于所接收到的指令对所述单个逻辑页读和写数据。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包括:
将所述第一已损坏页记录到部分降级页列表;
在所述部分降级页列表中搜索所述至少一个附加已损坏页;
确定所述第一已损坏页和所述至少一个附加已损坏页的可用数据字节总和大于或等于所述期望页大小;
在逻辑页信息表中记录编组信息;以及
将所述编组信息记录到所述第一已损坏页和所述至少一个附加已损坏页的元数据。
10.如权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包括维持所述单个逻辑页的接口一致性。
11.如权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包括估计页差错率,并且其中选择所述新FEC参数集是基于所述页差错率的。
12.一种用于控制闪存的电子设备,包括:
处理器;
与所述处理器处于电子通信中的存储器;以及
存储在所述存储器中的指令,所述指令能由所述处理器执行以:
选择提供比当前前向纠错FEC参数集更大的冗余度的新FEC参数集;
在对所述闪存中的第一已损坏页的写操作期间使用所述新FEC参数集来编码源信息比特;以及
将所述第一已损坏页和所述闪存中的至少一个附加已损坏页映射到具有期望页大小的单个逻辑页。
13.如权利要求12所述的电子设备,其特征在于,所述选择是响应于对所述第一已损坏页的写失败或者在从所述第一已损坏页的读操作期间所估计页差错率超过FEC阈值时执行的。
14.如权利要求12所述的电子设备,其特征在于,所述选择包括能执行以从多个FEC参数集当中选择所述新FEC参数集的指令,所述多个FEC参数集中的每个FEC参数集提供不同量的冗余度。
15.如权利要求12所述的电子设备,其特征在于,所述新FEC参数集与所述当前FEC参数集相比每页具有更高数目的能被纠正的比特差错。
16.如权利要求12所述的电子设备,其特征在于,进一步包括能执行以在所述第一已损坏页中存储所述新FEC参数集以及在所述至少一个附加已损坏页中存储另一FEC参数集的指令。
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