[发明专利]氮化物半导体器件在审
| 申请号： | 201480019229.8 | 申请日： | 2014-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN105074888A | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 森下敏;民谷哲也;仲山宽 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;池兵 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮化物半导体器件，其特征在于，包括：
衬底(10)；
形成在所述衬底(10)上且具有异质界面的氮化物半导体层叠体(1、2)；和
形成在所述氮化物半导体层叠体(1、2)上的电极金属层(13)，
所述电极金属层(13)包括：
第一金属层(24)，该第一金属层(24)与所述氮化物半导体层叠体(1、2)接合，并且具有包含多个柱部(A)的微细柱状构造；和
第二金属层(25)，该第二金属层(25)层叠在所述第一金属层(24)上，并且具有包含多个柱部(B)的微细柱状构造，
所述第二金属层(25)的所述柱部(B)的粗细方向的平均尺寸，大于所述第一金属层(24)的所述柱部(A)的粗细方向的平均尺寸。
2.如权利要求1所述的氮化物半导体器件，其特征在于：
所述第一金属层(24)的所述微细柱状构造由钨氮化物构成，所述第一金属层(24)的所述柱部(A)的粗细方向的平均尺寸为5nm以上25nm以下。
3.如权利要求1或2所述的氮化物半导体器件，其特征在于：
所述第二金属层(25)的所述柱部(B)的粗细方向的平均尺寸为30nm以上150nm以下。
4.如权利要求1至3中任一项所述的氮化物半导体器件，其特征在于：
所述第二金属层(25)由钨构成。
5.如权利要求1至3中任一项所述的氮化物半导体器件，其特征在于：
所述第二金属层(25)由钨层和钛氮化物层构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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